목차
1. 실험목적
2. 배선(회로)도
3. 실험에 사용한 소요부품 및 장비
4. 실험과정
5. 데이터표
Data값에 대한 분석(Discussion)
결 론
2. 배선(회로)도
3. 실험에 사용한 소요부품 및 장비
4. 실험과정
5. 데이터표
Data값에 대한 분석(Discussion)
결 론
본문내용
표2에서 살펴보면 실제 이론값과 우리가 구한 실제 측정값(전류)가 약간의 오차가 존재하는 것을 살펴볼 수 있었는데, 이 오차의 이유로는 우리의 측정오차도 있겠지만 저항 특유의 오차 또한 영향을 주웠을 것이라고 생각해 보았다.
마지막으로 궁금한 점이 있는데 다이오드 양단의 전압 측정 시 시간이 지남에 따라 계속 값이 감소하는 것을 살펴 볼 수 있었으며, 또한 다이오드 양단의 전류를 측정할 시에 시간이 지남에 따라 계속 값이 증가하는 것을 확인할 수 있었는데 그 이유에 대해서는 많은 시간에 토의가 있었지만 우리의 힘으로는 알아낼 수가 없었기에 아쉬웠던 점으로 남는다.
실험 1장에 대한 복습문제
1. 실험 1과 같이 다이오드의 시험에 저항계가 사용될 때, 한쪽 방향으로 아주 낮은 저항(0은 아니면서)이 나타난다는 것은 무엇을 의미하는 것인가?
(a)개방 (b)단락
(c)순방향 바이어스 (d) 역방향 바이어스
-> 순방향 바이어스시에 전류를 흘러주게 되고 이때 적은 저항으로 적은 전압강하를 나타 내게 됨을 표1에서 확인할 수 있었으므로 답은 순방향 바이어스가 되겠다.
2. 이 실험에서 측정된 다이오드의 장벽전위는 대략 얼마인가?
(a) 0.3v (b) 0.6v (c) 0.9v (d) 1.2v
-> 이론적으로는 실리콘 다이어드의 장벽전위는 0.7V으로 알고 있었지만 실제 우리가 측정한 값을 보아서는 0.664V이고 이것은 0.6V에 가장 가까운 것을 살펴볼 수 있었다.
3. 그림 3에서 10Ω인 저항을 100Ω인 저항으로 바꾸고 오실로스코프의 수직감도를 0.5v/division으로 바꾼다면, 전류로 환산한 수직축의 단위는 어떻게 되겠는가?
(a) 0.5mA/division (b) 5mA/division
(c) 50mA/division (d)0.5A/division
-> 옴의 법칙에 의해서 I=V/R이므로 0.5V/100Ω=0.005A=5mA가 되기 때문에 답은 5mA/division이 됨을 알수 있었다.
4. 실험에서 다이오드 특성곡선의 어느 영역에서 다이오드가 개방회로와 같이 되는가?
(a) 다이오드에 인가되는 전압이 장벽전위보다 낮을 때
(b) 다이오드에 인가되는 전압이 장벽전위보다 높을 때
-> 다이오드에 인가되는 전압이 장벽전위보다 낮을때 이것은 부도체로 작용하고 결국 전류를 흘려보내지 않기 때문에 스위치로 봤을때 OPEN상태라 말 할 수 있고 이것이 개방회로라 다시 말할 수 있기 때문에 답은 다이오드에 인가되는 전압이 장벽전위보다 낮을 때할 수 있다.
5. 다이오드 특성곡선상의 다이오드의 장벽전위보다 큰 전압의 영역에서?
(a) 곡선은 근본적으로 수평선이 된다
(b) 다이오드의 순방향저항이 개방회로의 값에 접근한다.
(c) 다이오드의 전압이 급격히 증가한다.
(d) 다이오드의 전류가 급격히 증가한다.
-> 다이오드 특성곡선상의 다이오드의 장벽전위보다 큰 전압의 영역에서는 다이오드의 전류가 급격히 증가하는 것을 표2와 표3에서 얻은 정특성,동특성 곡선에서 살펴 볼 수 있었으므로 답은 다이오드의 전류가 급격히 증가한다 될 것이다.
마지막으로 궁금한 점이 있는데 다이오드 양단의 전압 측정 시 시간이 지남에 따라 계속 값이 감소하는 것을 살펴 볼 수 있었으며, 또한 다이오드 양단의 전류를 측정할 시에 시간이 지남에 따라 계속 값이 증가하는 것을 확인할 수 있었는데 그 이유에 대해서는 많은 시간에 토의가 있었지만 우리의 힘으로는 알아낼 수가 없었기에 아쉬웠던 점으로 남는다.
실험 1장에 대한 복습문제
1. 실험 1과 같이 다이오드의 시험에 저항계가 사용될 때, 한쪽 방향으로 아주 낮은 저항(0은 아니면서)이 나타난다는 것은 무엇을 의미하는 것인가?
(a)개방 (b)단락
(c)순방향 바이어스 (d) 역방향 바이어스
-> 순방향 바이어스시에 전류를 흘러주게 되고 이때 적은 저항으로 적은 전압강하를 나타 내게 됨을 표1에서 확인할 수 있었으므로 답은 순방향 바이어스가 되겠다.
2. 이 실험에서 측정된 다이오드의 장벽전위는 대략 얼마인가?
(a) 0.3v (b) 0.6v (c) 0.9v (d) 1.2v
-> 이론적으로는 실리콘 다이어드의 장벽전위는 0.7V으로 알고 있었지만 실제 우리가 측정한 값을 보아서는 0.664V이고 이것은 0.6V에 가장 가까운 것을 살펴볼 수 있었다.
3. 그림 3에서 10Ω인 저항을 100Ω인 저항으로 바꾸고 오실로스코프의 수직감도를 0.5v/division으로 바꾼다면, 전류로 환산한 수직축의 단위는 어떻게 되겠는가?
(a) 0.5mA/division (b) 5mA/division
(c) 50mA/division (d)0.5A/division
-> 옴의 법칙에 의해서 I=V/R이므로 0.5V/100Ω=0.005A=5mA가 되기 때문에 답은 5mA/division이 됨을 알수 있었다.
4. 실험에서 다이오드 특성곡선의 어느 영역에서 다이오드가 개방회로와 같이 되는가?
(a) 다이오드에 인가되는 전압이 장벽전위보다 낮을 때
(b) 다이오드에 인가되는 전압이 장벽전위보다 높을 때
-> 다이오드에 인가되는 전압이 장벽전위보다 낮을때 이것은 부도체로 작용하고 결국 전류를 흘려보내지 않기 때문에 스위치로 봤을때 OPEN상태라 말 할 수 있고 이것이 개방회로라 다시 말할 수 있기 때문에 답은 다이오드에 인가되는 전압이 장벽전위보다 낮을 때할 수 있다.
5. 다이오드 특성곡선상의 다이오드의 장벽전위보다 큰 전압의 영역에서?
(a) 곡선은 근본적으로 수평선이 된다
(b) 다이오드의 순방향저항이 개방회로의 값에 접근한다.
(c) 다이오드의 전압이 급격히 증가한다.
(d) 다이오드의 전류가 급격히 증가한다.
-> 다이오드 특성곡선상의 다이오드의 장벽전위보다 큰 전압의 영역에서는 다이오드의 전류가 급격히 증가하는 것을 표2와 표3에서 얻은 정특성,동특성 곡선에서 살펴 볼 수 있었으므로 답은 다이오드의 전류가 급격히 증가한다 될 것이다.
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