반도체 다이오드 특성 실험

소개글

반도체 다이오드 특성 실험에 대한 보고서 자료입니다.

본문내용

전류를 측정 하여 다음 표에 기록하고 또 전압 대전류의 그래프를 그린다. 그리고 각 전압에 대한 순방향의 저항치를 계산한다. 만약. 전 류계의 바늘이 미소하게 움직이면 range 를 한 단계씩 작은 쪽 으로 이동하여 측정한다
3. 그림 4(b) 와 같이 다이오드의 방향을 바꾸어서 역방향이 되도 록 한다. 이 때는 전압계의 단자를 50v단자와 COM 단자를 사 용한다. 만약 이 과정을 생략하면 전압계가 타 버릴 것이다.
4. 전압이 0V에서 5V씩 45V까지 다이오드 양단에 걸리도록 가변 전원을 조절해가 면서 그 때 마다의 전류 I를 측정하고 전압과 전류의 관계 그래프를 그린다. 만약 mA의 전류계 바늘이 움 직이지 않으면 μA의 전류계를 사용한다.
5. 순방향 전류 대 전압곡선 및 역방향 전류 대 전압곡선을 그린 다
6. 반도체 si 와 Ge 의 두 가지 다이오드에 대해서 각각 실험하 고 그 특성곡선의 특징을 비교한다.
7. 측정이 끝나면 가변전압을 0V로 하고 전원을 off시킨다
<그림4>p-n형 다이오드 정류특성 실험
◎반도체란???? 전기전도(電氣傳導)가 전자와 정공(hole)에 의해 이루어지는 물질로서 그의 전기저항률 즉 비저항(比抵抗)이 도체와 절연체 비저항값의 중간값을 취하는 것.
◎다이오드란???? 전자현상(電子現象)을 이용하는 2단자소자(端子素子).
◎바이어스란???? 전자관이나 트랜지스터의 동작 기준점을 정하기 위하여 신호전극 등에 가하는 전압 또는 전류. 이 전압을 독립적인 전원(電源)에서 주는 것을 고정바이어스, 회로의 동작전류를 이용해서 만드는 것을 자체(自體) 바이어스라 한다.

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