다이오드 동작특성 실험(결과)

목차

실험주차

실험목적

실험개요

이론적 배경

1. PN Diode

2. Zener Diode

실험방법

토의/고찰

본문내용

인식이 되어 전류가 흐르지 않았다. 이후 약간씩 전류가 증가하다가 0.6V이상에서 전류가 급증하기 시작하였다. 이론상 Si 다이오드의 경우 threshold voltage가 0.7v 정도 인데 오차를 약간 생각 하면 정확하지는 않지만 대략적으로 맞게 나온 것 같다.
제너다이오드의 경우 PN접합 다이오드와 마찬가지로 0.7V정도에서 전류가 급증하는 것을 볼 수 있다. 위와 다른점은 Breakdown이 존재한다는 것이다. -8V정도를 Vsig에 인가해 주었을 때 다이오드에 걸리는 역전압이 크게 증가하면서 전류가 증가하기 시작하였다. 이는 Depletion Reigon에서 제너다이오드가 역전압을 견디지 못하고 covalent bond가 깨져버리기 때문에 순간적으로 역방향에 전류가 크게 흐르게 되는 것이다.

키워드

다이오드,   diode,   동작특성,   전자회로실험,   결과보고서