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에서는 10 의 온도상승에 대해 2배 증가하는 수도 있다. 암전류 값은 1nA 이하값에서 수백 nA 이상까지 넓게 걸쳐 있다. 일반적으로 실리콘 검출기는 암전류가 가장 작고 InGaAs은 이보다 약간 크며 게르마늄 다이오드는 가장 큰 암전류를 가지는
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암전류와 defect 감소 기술과 같은 좋은 화질을 얻기 위한 핵심 기술이 개발 되고 있다. 이는 센서 시장에서 CMOS 이미지 센서의 사용이 보다 폭넓은 분야에 적용될 것임을 생각할 수 있다.현재는 CCD형 이미지 센서가 디지털 카메라, 캠코더 등의
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암전류를 증가시키는 반면 응답시간을 감소시킨다. 대부분의 응용회로는 베이스 접합을 사용하지 않는다.
그림 4-5 포토 트랜지스터의 출력 회로
3. 사용기기 및 부품
디지털멀티미터
직류전원
오실로스코프
광원(SE4325)
포토 트랜지스터(SD5443)
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암전류가 적다.
암전류 : 입사광이 없어도 흐르는 전류, 입사광이 없어도 전류가 흐르면 원하는 값을 제대로 얻을 수 없다. 그래서 암전류는 적을수록 좋다.
3) 포토 트랜지스터(Photo Transister) 극성판별하는방법
NPN형 포토 트랜지스터의 경우 테
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암전류 증가 초래
(출력, 응답 특성을 그만큼 요구하지 않는 경우 무바이어스 권장)
★전체내용 본문내용 참고★ ★포토 다이오드란?
★포토 다이오드의 원리
★포토 다이오드의 구조와 특성곡선
★입사광량과 출력전류의
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