목차
1. 평형상태의 전자와 정공분포
2. 진성 캐리어 농도
3. 도펀드 원자와 에너지 준위
4. 이온화 에너지
5. 외인성 반도체
6. 축퇴와 비축퇴 반도체
7. donor와 acceptor의 통계
8. 보상(compensated) 반도체
9. Fermi 에너지 준위의 위치
10. Fermi 에너지의 관련성
2. 진성 캐리어 농도
3. 도펀드 원자와 에너지 준위
4. 이온화 에너지
5. 외인성 반도체
6. 축퇴와 비축퇴 반도체
7. donor와 acceptor의 통계
8. 보상(compensated) 반도체
9. Fermi 에너지 준위의 위치
10. Fermi 에너지의 관련성
본문내용
비축퇴 반도체 : 불순물이 반도체에서 개별적이고 비간섭적인 도너(억셉터) 에너지 상태를 만듬 (donor전자들 사이의 간섭이 없다).
축퇴 반도체 : donor(or acceptor)전자의 농도가 증가함에 따라 도너상태 밴드는 확장되어 전도대 하단과 겹침 , Fermi 에너지는 전도대 내부에 존재.
축퇴 반도체 : donor(or acceptor)전자의 농도가 증가함에 따라 도너상태 밴드는 확장되어 전도대 하단과 겹침 , Fermi 에너지는 전도대 내부에 존재.
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