Flash Memory 와 FRAM

본문내용

1. Flash Memory 의 소개
소비전력이 작고, 전원이 꺼지더라도 저장된 정보가 사라지지 않은 채 유지되는 특성을 지닌 기억장치(반도체)이다. 곧 계속해서 전원이 공급되는 비 휘발성 메모리로, DRAM과 달리 전원이 끊기더라도 저장된 정보를 그대로 보존할 수 있을 뿐 아니라 정보의 입출력도 자유로워 디지털 텔레비전•디지털 캠코더•휴대전화•디지털 카메라•개인휴대단말기(PDA) •게임기•MP3플레이어 등에 널리 이용된다.
종류는 크게 저장용량이 큰 데이터 저장형(NAND)과 처리 속도가 빠른 코드 저장형(NOR)의 2가지로 분류된다. 전자는 고집적이 가능하고 핸드디스크를 대체할 수 있어 고집적 음성이나 화상 등의 저장용으로 많이 쓰이는데, 2003년 2월 현재 한국의 삼성전자(주)가 세계 시장의 60％를 점유하고 있다. 코드 저장형은 2002년 기준으로 전체 플래시 메모리 시장의 80％를 차지하고 있는 메모리로, 인텔•AMD 등이 시장을 주도하고 있으며, 한국에서도 2003년 1월 128메가의 코드 저장형 플래시 메모리 제품을 개발하였다.
2. Flash Memory 의 구조
- NVM : Non Volatile Memory
- ROM : Read Only Memory
- OTP : One Time Programmable ROM
- EPROM : Erasable Programmable ROM
- EEPROM : Electrically Erasable & Programmable ROM
9) Nand 플래쉬 메모리에서의 Invalid Block
• Nand 플래쉬는 invalid block들을 포함할 수 있음.
(이 block에 정보를 저장하지 말 것. (Invalid block : 한 개 이상의 bad bit을 포함하고 있
는 block )
• 초기 invalid block : 출하 전에 테스트된 원래의 bad block
 Invalid block 표시는 그 block의 각 첫 번째 페이지 spare영역에 00h(16진수로 “00”)를 써넣음.
추가적인 Invalid block 들이 사용연한(10년)내에 발생할 수도 있음.
플래쉬 시장 전망
• 공급 부족은 모든 NAND 타입의 플래쉬 제품에서 계속됨
 생산량 제한 : 제조업체 측면
 디지털 응용 기기에서의 지속적인 수요 증가 측면
 신규 인터넷 응용 제품의 지속적인 개발 측면
• 2002년 말부터 핸드폰 및 모바일 제품 시장에서의 데이타형 저장장치
(사진,음악화일등) 치에 대한 수요가 기존의 코드형 저장장치( 프로그램등) 의 수요보다 더욱 증가할 전망임.
 PDA 나 3세대 스마트 폰 등에 있어서의 NAND 타입의 플래쉬 제품으로 대체.
• 이에 따라 플래쉬 생산능력은 대폭 증가될 전망
 DRAM 기술발전과 보조를 맞추어 플래쉬 제품으로의 생산능력 확충예정
 Assigning more capacity for Flash Production

키워드

Flash Memory,   FRAM,   메모리