비휘발성 메모리중 FRAM과 MRAM의 비교

목차

1. FRAM소자
(1) 기본원리
(2) 구조
(3) FRAM 소자의 장점과 단점

2. MRAM
(1) MRAM의 기본 원리
(2) 구조
(3) MRAM의 장점과 단점

본문내용

것으로 분석되고 있음
- 이 문제를 해결할 수 있는 방향으로 제시되고 있는 것은 기억소자로 이용되고 있는 TMR소자의 스위칭자계를 줄이는 것으로 IBM이 이러한 연구를 진행하고 있음
- 스위칭자계를 줄일 수 있으면 데이터 기록에 필요한 전류를 줄일 수 있으며 이론상 스위칭자계를 1/10로 하면 기록시 필요한 소비전류도 1/10로 하는 것이 가능
집적도 향상
- 소비전력화와 함께 MRAM의 실용화를 위해 해결해야 할 중요한 과제는 고집적화
- A회사는 메모리셀을 구성하는 소자 수를 절반으로 줄여 DRAM과 동등한 크기로 축소시킬 계획이며 이에 필요한 TMR의 Magnetic Ratio(MR비)를 40%까지 향상시키는 기술확보가 가능한 것으로 예측하고 있음
- B회사는 MR비가 35%인 TMR소자를 사용한 셀구조를 실현시켰으며 공정을 최적화하면 DRAM과 동등한 셀면적이 실현 가능할 것으로 전망
- MRAM 제조상의 또 다른 과제는 열처리시의 TMR의 열화인데 제조시 필요한 열처리가 250℃ 이하의 저온에서 이루어져야 하며(현재의 CMOS 반도체 공정에서는 400 - 450℃) 이를 해결하기 위한 플라즈마 방전을 이용한 공정 등의 연구도 진행되고 있음

키워드

비휘발성,   메모리,   FRAM,   MRAM