[e비즈니스]메모리 시장 분석 및 향후 전망

소개글

[e비즈니스]메모리 시장 분석 및 향후 전망에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 들어가는 말

2. 메모리 시장의 성장 배경

3. 주요 IT 제품 시장 동향 및 전망
1) PC시장 동향 및 전망
2) 휴대형 단말기 시장 동향 및 전망
3) 디지털 카메라의 시장동향 및 전망
4) MP3 플레이어 시장 동향 및 전망

4. 비휘발성 메모리 시장전망

5. 맺는말

본문내용

두 배로 증가하였는데, 이로 인해 기술과 제품개발에서 상당한 진전을 가져와 2005년 말에는 차세대 비휘발성 메모리로는 가장 용량이 큰 256Mb 시제품이 개발될 것으로 보인다. PRAM은 단기적으로는 휴대폰용 노아(NOR)형 플래시를 대체하는 것으로 시작하여 2008년에는 4억9,000만달러의 비교적 큰 규모의 시장을 형성할 것으로 예상되고 있다.
저항 메모리(RRAM) 기술은 짧은 전기 펄스를 가하여 일어나는 금속 산화물의 저항변화를 이용하여 메모리 셀당 한 개 이상의 데이터 비트를 저장한다. 지금까지 직면한 가장 큰 어려움은 저향변화 메커니즘을 이해하는 것인데 최근 활발한 연구개발에 힘입어 상당 부분 규명되었다. 그러나 아직 연구개발 초기단계로서 상용화에 이르기까지는 적어도 5년 이상의 시간이 필요할 것으로 보인다. RRAM의 장점은 메모리 셀당 4~6개의 데이터 비트를 저장할 수 있는 다치화(multi bit)가 가능하여 가격 경쟁력이 뛰어난 비휘발성 메모리를 제작할 수 있다는 점이다.
5. 맺는말
비휘발성 메모리 기술과 소자를 개발하려는 이유는 각종 이동통신 및 휴대기기의 급속한 수요 확산에 따라 대용량의 데이터 저장에 필요한 비휘발성 메모리의 수요가 급격히 늘어나고 있기 때문이다. 현재 상용화된 비휘발성 메모리의 주력 기술은 플래시 메모리이다. 전하 포획을 기반으로 한 이 비휘발성 메모리는 디램 시장을 능가하는 거대 시장을 형성함으로써 메모리 시장의 주류로 자리매김을 하였다. 한편으론 플래시 메모리의 축소 가공기술이 한계에 부닥칠 것으로 예상되는 2010년쯤 32~22nm 세대를 대비한 차세대 비휘발성 메모리 기술이 개발되고 있다. 이것은 강유전성, 자성, 상변화, 또는 저항변화를 이용한 새로운 개념의 메모리이다. 현재 이러한 신기술은 시장에 본격적으로 진입하지 못하고 개발중인 상태이지만 이 중 일부는 틈새시장을 형성하고 있거나 가까운 장래에 기준 비휘발성 메모리 시장을 일부분 대체하기 시작하면서 주류 시장에 진입할 것으로 예상된다. 차세대 비휘발성 메모리의 시장 규모는 현재 7천만달러 수준에서 향후 5년 내지 7년 후에 28억 달러의 거대 시장으로 성장할 것으로 예상되고 있다. 따라서 현재 개별 기업차원에서 진행되고 있거나 또는 국책과제를 통해 수행되고 있는 차세대 비휘발성 메모리 개발이 알찬 결실을 맺어 우리나라가 디램 및 플래시에 이어 차세대 메모리 시장에서도 선두에 서게 되기를 기대한다.

키워드

메모리,   메모리시장,   반도체,   삼성전자,   플래시메모리,   디램