목차
1. 세계 반도체의 발전과정
2. 삼성반도체의 성장과정
3. 반도체 분야의 산업 분석
4. 삼성반도체의 성공요인 및 문제점
5. 반도체 시장 현황
6. 삼성의 미래 전략
7. 추가 자료
8. 참고 도서
2. 삼성반도체의 성장과정
3. 반도체 분야의 산업 분석
4. 삼성반도체의 성공요인 및 문제점
5. 반도체 시장 현황
6. 삼성의 미래 전략
7. 추가 자료
8. 참고 도서
본문내용
세계 반도체 시장의 발전 과정
세계 반도체 사업
반도체는 1906년 미국의 Lee DeForest에 의해 처음으로 개발된 전기증폭 진공관과 1947년 미국 AT&T의 벨연구소의 William B.Shockley와 그의 연구팀들이 고체트랜지스터를 처음으로 고안해 내면서 발전해 나갔다. 그 후, 트랜지스터의 집적화를 촉진시키는 IC의 발명으로 반도체사업은 전기를 이룬다.
미국에서 Godon Moore 와 Robert Noyce의 의해 설립된 Intel은 1971년 1K RAM을 시작으로, 세계최초로 마이크로프로세서를 내놓는다. 이후 1970-80대에 들어와 IC 제조기술은 급속도로 발전하여 4K,16K, 256K DRAM에서부터 오늘날에는 2001년 삼성전자에서 세계최초로 개발된 4G DRAM에 이르기까지 굉장한 속도로 빠르게 진보하고 있으며 한국은 1990년대 들어와 DRAM 생산의 약진으로 세계최대 생산국으로 자리를 차지하고 있다. 또한 삼성전자는 얼마전 세계 최초로 16기가 낸드 플래시 메모리를 최초로 개발하여 세계를 깜짝 놀라게 했다.
세계 반도체 사업
반도체는 1906년 미국의 Lee DeForest에 의해 처음으로 개발된 전기증폭 진공관과 1947년 미국 AT&T의 벨연구소의 William B.Shockley와 그의 연구팀들이 고체트랜지스터를 처음으로 고안해 내면서 발전해 나갔다. 그 후, 트랜지스터의 집적화를 촉진시키는 IC의 발명으로 반도체사업은 전기를 이룬다.
미국에서 Godon Moore 와 Robert Noyce의 의해 설립된 Intel은 1971년 1K RAM을 시작으로, 세계최초로 마이크로프로세서를 내놓는다. 이후 1970-80대에 들어와 IC 제조기술은 급속도로 발전하여 4K,16K, 256K DRAM에서부터 오늘날에는 2001년 삼성전자에서 세계최초로 개발된 4G DRAM에 이르기까지 굉장한 속도로 빠르게 진보하고 있으며 한국은 1990년대 들어와 DRAM 생산의 약진으로 세계최대 생산국으로 자리를 차지하고 있다. 또한 삼성전자는 얼마전 세계 최초로 16기가 낸드 플래시 메모리를 최초로 개발하여 세계를 깜짝 놀라게 했다.
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