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비휘발성 상변화 메모리 재료특성평가 방법( KIST,국내특허 file no.03-7541) 되는 성과가 있었다.
비휘발성 상변화 메모리 기술의 개발역사를 볼 때, 동 기술의 실용화 수준 진입에 결정적 역할을 한 기술로는 상변화형 광 기록매체의 성공적 실용
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비휘발성 메모리 소자의 제작 및 특성 연구” 한규일(경희대학교 대학원 석사학위 논문)
- “낸드 플래시 메모리 소자의 제조방법에 대한 특허 조사”
성균관대학교 정보통신 소자 연구실
- www.wips.co.kr 특허검색
- 삼성전자 반도체 홈페이지
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비휘발성이므로 리부팅 및 데이터의 저장 안정성 면에서 기존 메모리에 비해 탁월한 특징이 기대된다.
(2) 단점
. 기록시의 소비전력 절감
- MRAM은 데이터 기록시 필요한 전류가 크기 때문에 소비전력이 큰 것이 현재로서는 단점
- 현행 기술을
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경우)시 필요한 공인인증서를 저장하여 사용. 1. 주기억 장치로서의 메모리의 기능
2. 휘발성 메모리와 비휘발성 메모리의 차이점을 비교 설명
3. 휘발성 메모리와 비휘발성 메모리의 종류를 나열하고, 각 종류에 대해 구체적으로 설명
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비휘발성 64M PRAM을 업계 처음으로 일본 동경에서 열린 2004 SSDM을 통해 발표했다. 이 기술은 GST 박막과 0.18㎛ COMS 기술을 이용하여 fully 동작되는 것을 보여주고 있다. 리셋 저항은 ~200Ω, 셋 저항은 ~2kΩ으로 100배의 차이를 가지고 있다. 또한 3V 동
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비휘발성 기억소자의 대안이 되기 위해서는 여러 저항 변화 물질에 대한 폭넓고 싶은 연구를 통해 저항 변화 원리에 대한 궁극적인 이해와 소자 동작 특성에 대한 순석이 수행될 것이며, 이를 바탕으로 고집적화를 통한 핵심 비휘발성 메모리
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비휘발성 프로그램 메모리
8KB ISP(In-System Programmable) 플래시 메모리
512B 내부 SRAM
512 ISP(In-System Programmable) EEPROM 메모리
플래시 프로그램 Lock 과 EEPROM 데이터의 보안 기능
직렬 통신 포트를 사용한 ISP 기능
-주변 장치의 특징
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