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휘발성 메모리 분야의 새로운 강자로 떠오를 가능성이 크다고 할 수 있다.
Ⅳ. 참고문헌
Chen, Y. et al., "An Access-Transistor-Free(0T/1R) Non-volatile Resistance Random Access Memory(PRAM) Using a Novel Threshold Switching, Self-Rectifying Chalcogenide Device". 2003 IEDM Technical Digest
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MEMORY 영역을 자유롭게 READ/WRITE 할 수 있다. 1. 서론 -----------------
1.1. 동기 및 개요 -----------------
1.2. 목적 -----------------
1.3. 새로운 시스템 -----------------
2. 본론 -----------------
2.1 기본 원리 및 구성 -----------------
2.2 AVR의 특성 ---------------
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메모리, TFT-LCD, 광통신 산업분야에서 우리나라가 세계 최고 수준 기술을 확보하고 있는 기술이다.
4) 국내에서의 태양전지 사업은 웨이퍼 생산을 포함한 대규모의 반도체 생산설비와 전문 인력 및 공간을 이용하면 TFT-LCD, PDP 등 단말기에서와
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크게 수동부품, 능동부품, 기구부품, 접속부품, 메모리부품으로 분류되며 품목구조가 반도체, LCD, 브라운관 등 일부 품목에 편중되어 있으며, 모기업에 종속된 수직계열화로 부품산업의 자생력은 전체적으로 취약한 실정이다. 이러한 전자부
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틀림이 없다. 세계적으로 우리나라가 실리콘 메모리 반도체 산업의 주역인 것처럼 새롭게 등장하고 있는 반도체 조명이라는 분야에도 주역이 될 수 있는 도전의 기회를 주고 있음을 주목할 필요가 있다.
GaN 기판을 사용한 백색 LED 칩
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