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중요성
4. 잔류분극을 이용한 2진법 메모리, FRAM
5. FRAM 커패시터로서 요구되는 강유전 박막의 물성
6. 대표적인 강유전 박막과 신소재의 개발
7. FRAM의 종류
8. 박막의 필요성과 방법
Ⅲ. MRAM (Magnetic Random Access Memory)
1. 자기기록기술
2. 자기
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반도체 기억장치의 발달과정에 대하여 설명하라.
① 반도체의 발전
② 반도체 기억장치의 발달과정
③ RAM의 유형
④ 나의 의견
2. 가상현실, 증강현실, 메타버스 등의 응용에 사용하기 위한 입출력 장치를 한 가지 조사하여 다음 사항을 A
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차세대 반도체인 256M D램의 생산단계에서는 선·후발 기업간 치열한 경쟁이 예상되고, 선진국들의 기술보호가 더욱 심화될 것으로 예상되고 있으나, 국내 반도체 장비·재료업체는 대부분 연륜이 짧고, 중·소규모의 기업인 관계로 기술개발에
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대하여 설명하라.
(다) 마이크로프로세서에 대하여 설명하라.
2. 컴퓨터에서 데이터의 입출력 방식에 대한 다음 내용을 (가)와 (나) 각각 A4 용지 1~2페이지, 총 3페이지 이내로 작성하라. (15점)
(가) 웨어러블 기기 중 한 가지를 선택하여 ① 그
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중 관계 현황 및 대응전략
2. 부문별 중국 IT산업의 현황 및 대응전략
(1) 반도체 분야
(2) 컴퓨터 분야
(3) 이동통신 분야
(4) 게임산
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