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메모리 소자의 제작 및 특성 연구” 한규일(경희대학교 대학원 석사학위 논문) - “낸드 플래시 메모리 소자의 제조방법에 대한 특허 조사” 성균관대학교 정보통신 소자 연구실 - www.wips.co.kr 특허검색 - 삼성전자 반도체 홈페이지 - 나노반도
  • 페이지 34페이지
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  • 등록일 2009.05.16
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 참고문헌 있음
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메모리(Memory)제품의 정의 *정보를 기억(저장)할 수 있도록 만든 반도체 IC. *읽고(Read) 쓸 수 (Write)있는 램(RAM)제품 *읽기만 할 수 있는 롬(ROM)제품 *디지털 카메라등의 발상소자인 CCD *기타 스페셜 메모리로 구분 - RAM : DRAM, SRAM, VIDEO R
  • 페이지 22페이지
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  • 등록일 2009.11.25
  • 파일종류 피피티(ppt)
  • 참고문헌 없음
  • 최근 2주 판매 이력 없음
반도체분야에 경영역량을 집중하기 위하여 2001년까지 LCD부문을 포함한 비반도체 부문들의 분사를 실행함으로써 반도체 전문회사가 되었다. 또한, 주력사업인 메모리반도체 분야에 집중하기 위하여 2004년 10월 비메모리 부문인 System IC 사업부
  • 페이지 15페이지
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  • 등록일 2007.02.21
  • 파일종류 워드(doc)
  • 참고문헌 없음
  • 최근 2주 판매 이력 없음
반도체 단일의 품목으로 235억달러의 수출을 달성한다는 것은 십 수년전 수출 100억달러를 목표로 했던 때를 생각하면 가히 대단한 일이라 아니할 수 없다. 이와같이 반도체소자의 고속도와 집적도를 위한 다양한 기술들이 제시되고 있는 바,
  • 페이지 11페이지
  • 가격 3,000원
  • 등록일 2012.03.13
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 참고문헌 없음
  • 최근 2주 판매 이력 없음
반도체 소자를 개발할 수 있게 됐다. M램과 F램이나 P램의 기능을 결합하는 새로운 형태의 차세대 반도체 개발의 가능성을 열어놓은 셈이다. 11. 차세대 메모리 개발경쟁(국내외) 현재 차세대 메모리로 일컬어지면서도 상용화돼 사용되고 있는
  • 페이지 8페이지
  • 가격 1,500원
  • 등록일 2010.05.19
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 참고문헌 있음
  • 최근 2주 판매 이력 없음

논문 11건

반도체소자인 태양전지의 요소기술로서 p-n 접합기술, 사진노광기술, 전극형성기술, 애칭기술, 유전체박막 성형기술, 산화 막 형성기술 등이 사용되며 이는 메모리, TFT-LCD, 광통신 산업분야에서 우리나라가 세계 최고 수준 기술을 확보하고 있
  • 페이지 47페이지
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  • 발행일 2010.05.31
  • 파일종류 워드(doc)
  • 발행기관
  • 저자
반도체 패키지와 인쇄회로 기판 - 김경섭유정희 [3] 현대 반도체 광원의 기초 - 심종인이종창김종렬 [4] 초고속 SOP에서 인터페이스 채널과 트랜시버의 Co-design 방법 - 김용주 [5] 3D-IC Alliance, www.d3-ic.org [6] 하이닉스 반도체 www.hynix.co.kr [7] 삼성전
  • 페이지 33페이지
  • 가격 5,000원
  • 발행일 2010.05.17
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 발행기관
  • 저자
반도체 기술, 즉 광전자 기술의 발전이 반도체 조명이라는 또 다른 빛의 혁명을 주도하고 있음에는 틀림이 없다. 세계적으로 우리나라가 실리콘 메모리 반도체 산업의 주역인 것처럼 새롭게 등장하고 있는 반도체 조명이라는 분야에도 주역
  • 페이지 33페이지
  • 가격 3,000원
  • 발행일 2008.12.09
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 발행기관
  • 저자
반도체의 접합으로 이루어져 있으며, 전압을 가하면 전자와 정공의 결합으로 반도체의 밴드갭에 해당하는 에너지를 빛의 형태로 방출하는 일종의 광전자 소자이다. LED의 확대는 소형광원 및 색설계가 가능하고 소비 전력이 적어지며 수명이
  • 페이지 59페이지
  • 가격 3,000원
  • 발행일 2007.10.10
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 발행기관
  • 저자
소자제작, 단순한 공정 등의 장점이 있으므로 비휘발성 메모리 분야의 새로운 강자로 떠오를 가능성이 크다고 할 수 있다. Ⅳ. 참고문헌 Chen, Y. et al., \"An Access-Transistor-Free(0T/1R) Non-volatile Resistance Random Access Memory(PRAM) Using a Novel Threshold Switching,
  • 페이지 13페이지
  • 가격 2,000원
  • 발행일 2009.06.15
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 발행기관
  • 저자

취업자료 159건

메모리용 초고속 128메가 DDR SD램 출시, 메인 및 그래픽 메모리용 초고속 256메가 DDR SD램을 출시하였고, 2003년 1월 333Mbps급 초고속 512메가 DDR SD램이 미국 인텔사(社)의 제품인증을 획득하였다. 주요 사업은 반도체소자 제조 및 판매, 통신기기 제
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  • 등록일 2008.10.08
  • 파일종류 아크로벳(pdf)
  • 직종구분 기타
메모리반도체에 대한 이해도를 높였습니다. 세 번째로 직무부트캠프에 참여해 현업 직무를 간접체험 해볼 수 있었습니다. 직무부트캠프를 통해 현업에서 실제로 수행하는 과제뿐만 아니라 연관부서와의 협업의 중요성도 깨달을 수 있었습니
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  • 등록일 2025.04.03
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 직종구분 산업, 과학, 기술직
도체 성장 중심으로 전문연구지식을 발전시켜가려고 합니다. 이것은 그동안 제가 부족하다고 생각해 왔던 LED응용 현상에 대한 이해의 기반을 탄탄히 해줄 것으로 생각합니다. 그리고 나노 스케일 반도체소자와 메모리 소자가 어떻게 상호간
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  • 등록일 2014.12.23
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 직종구분 기타
메모리 반도체 초격차를 이어가는 데 기여하고, 장기적으로는 차세대 메모리 공정 개발을 주도하는 전문가로 성장하겠습니다. 감사합니다. 삼성전자 DS부문 [메모리사업부] 반도체공정기술 면접족보, 1분 자기소개, 면접질문답변, 압박면
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  • 등록일 2025.09.01
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 직종구분 일반사무직
견디며 새로운 길을 개척하는 끈기와 기존의 틀을 깨는 창의성이 필요합니다. 저는 이 두 가지를 균형 있게 발전시키며 연구개발에 임하고 싶습니다. 2025 삼성전자 DS부문 [메모리사업부] 반도체공정기술 자기소개서 자소서 및 면접질문
  • 가격 4,000원
  • 등록일 2025.08.27
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 직종구분 일반사무직

파워포인트배경 7건

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