|
메모리의 비교를 나타내듯이 어쨌든 3자3상으로 현시점에서는 개발 도중이다. 따라서 어느 것이 장래 주역이 된다고 말하기는 어려우나 최근의 기술개발의 추세로 보아 FeRAM, MRAM 시장진입이 늦어지면서 PRAM이 향후의 unified memory 특징을 가진
|
|
|
메모리 소자설계용 요소기술 개발에 관한 연구 ( 과학기술부 )
(7) 비휘발성 메모리 소자 기술 동향 (KIST 허운행)
9 1.서론
2. 상변화 기술이론
(2.1) 기본이론
(2.2) 상변화 기록 및 재생 원리
3 .PRAM(Phase change RAM), OUM(Ovonic Unifed Memory)
(3.1
|
|
|
PRAM,RRAM 등의 차세대메모리와 함께 비휘발성 메모리 소자로 유망하다고 볼 수 있다. 따라서 본 논문에서는 정보저장기기의 매우 중요한 분야인 자성을 이용한 기록/저장방식으로의 자기헤드기술과 자기기록매체기술, 그리고 비휘발성 MRAM소
|
|
|
자기저항 메카니즘
4. MRAM이란
5. MRAM의 기본 원리
6. MRAM의 구조
7. 스핀트로닉스(Spintronics)
8. 향후 전망
Ⅳ. PRAM, FRAM, MRAM의 비교
1. PRAM 소자의 장점과 단점
2. FRAM 소자의 장점과 단점
3. MRAM 소자의 장점과 단점
4. 메모리의 구성비교
|
|
|
Memory 라고도 한다.
- 컴퓨터 안의 BIOS가 이에 해당한다.
- 핸드폰, 디지털 카메라 등의 메모리가 이에 해당한다.
■ 차세대 메모리
PRAM (Phase Change RAM), FRAM (Ferroelectric RAM), MRAM (Magnetic RAM) Ⅰ. RAM (Random Access Memory)
1. 개념
2. 필요성
3
|
|
 |
memory using Simple Binary Oxide Driven by Asymmetric Unipolar Voltage Pulses. in 2004 IEDM Tech. Dig., 2005 I. 서 론
1. 차세대 비휘발성 메모리 (non-volatile memory)
1-1. PoRAM (Polymer Random Access Memor)
1-2. PRAM (Phase change random assess memory)
1-3. MRAM (Magnetoresistive random
|
|
메뉴펼치기
