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MRAM의 개발에 힘이 쏠리고 있다. MRAM은 SRAM과 비슷한 빠른 기록/재생과 DRAM이상의 고밀도 기록이 가능하며 낮은 단가와 저전력이라는 장점이 있어서 FRAM,PRAM,RRAM 등의 차세대메모리와 함께 비휘발성 메모리 소자로 유망하다고 볼 수 있다. 따라
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GMR헤드는 열에 약하기 때문에 Thermal Asperity 가 발생된다. TMR헤드는 원리상 이러한 노이즈가 발생할 확률이 적기 때문에 부상 고도를 더욱 낮출 수 있는 장점이 있다.
하지만 TMR의 신뢰도 문제는 현재 MRAM의 상용화에 가장 큰 문제이다
TMR을 이
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47, 178 (1985)]
그림 2. 거대 자기저항(GMR) 현상.
(Baibich et al., PRL 61, 2472 (1988)
그림 3. 광자기 기록기술 개략도
그림 4. GMR 스핀 밸브 헤드 구조
그림 5. 자기 메모리(MRAM) 개략도 1. 서 론
2. 스핀의존 현상
3. 스핀트로닉 기술
4. 향후 전망
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GMR, CMR 등과 같은 다른 자기 저항재료에 비해 자기 저항비가 크고 포화자계도 작으며, 전류가 CPP (current perpendicular to plane) 모드로 흐르기 때문에 고집적이 가능하여 MRAM의 재료로 유리하다.
⑨ MTJ의 주의사항
- magnetic multilayer FM/I/FM 구조에서
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