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정함으로써 이루어진다. GMR 자기메모리 소자는 미국의 Honeywell 과 Motorolar 회사를 중심으로 연구가 되어왔는데, 최근에는 IBM사에서 TMR(투과자기저항) 현상을 이용한 자기메모리 소자를 집중적으로 개발하고 있다. TMR 소자는 GMR 소자에 비해 큰
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자기저항 메카니즘
4. MRAM이란
5. MRAM의 기본 원리
6. MRAM의 구조
7. 스핀트로닉스(Spintronics)
8. 향후 전망
Ⅳ. PRAM, FRAM, MRAM의 비교
1. PRAM 소자의 장점과 단점
2. FRAM 소자의 장점과 단점
3. MRAM 소자의 장점과 단점
4. 메모리의 구성비교
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2. RAM(Random Access Memory)
3. ROM(Read Only Memory)
4. ROM BIOS
◈ 보조 기억 장치란?
◈ 보조 기억 장치의 종류
◈ 플로피 디스크 드라이브(Flopy Disk Drive)
◈ 하드 디스크(HDD:Hard Disk Drive)
◈ 광학 저장 장치(ODD:Optical Disk Drive)
◈ 캐쉬메모리란?
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자기메모리 오작동 문제 해결
사이언스타임즈
뉴턴코리아
서울대 공과대학 홈페이지 I. 서론
II. 본론
1. 마미크로프로세서의 기능
2. 마이크로프로세서의 발전 과정 : 인텔을 중심으로
(1) 4비트에서 8비트까지
(2) 16비트에서 32비트
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자기메모리와 차세대 정보저장 영역으로 각광받고 있는 것이 있다. 바로 나노의 세계이다. NT(Nano Technology)로 표현되는 이것이 차세대의 반도체를 능가하는 대체재로 부상하고 있다. 반도체는 전기량의 변화를 통해서 제어하는 반면 나노 자성
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