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스핀방향천이 현상
(Carcia et al., APL 47, 178 (1985)]
그림 2. 거대 자기저항(GMR) 현상.
(Baibich et al., PRL 61, 2472 (1988)
그림 3. 광자기 기록기술 개략도
그림 4. GMR 스핀 밸브 헤드 구조
그림 5. 자기 메모리(MRAM) 개략도 1. 서 론
2. 스핀의존 현상
3.
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MRAM (Magnetic Random Access Memory)
1. 자기기록기술
2. 자기저항 (magnetoresistance)
3. 자기저항 메카니즘
4. MRAM이란
5. MRAM의 기본 원리
6. MRAM의 구조
7. 스핀트로닉스(Spintronics)
8. 향후 전망
Ⅳ. PRAM, FRAM, MRAM의 비교
1. PRAM 소자의 장점과 단점
2. FRAM
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스핀 전계 효과 트랜지스터를 개발하였다집 .
미 국방성에서 첨단 연구를 담당하고 있는 DARPA(US Defense Advanced Rsearch Project Agency)에서도 스핀트로닉스 연구 분야에 향후 수년간 1억달러의 연구비를 투자한다고 밝혔다. IBM과 Motorola 등 유수한 전
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MRAM(Magnetic Random Access Memory), 스핀트랜지스터 등 소위 스핀트로닉스(Spintronics)라는 새로운 기술혁명을 가져오며, 나아가 다가오는 나노기술시대에 나노머신 및 나노소자의 핵심물질로 이용될 가능성이 높기 때문이다.
전자스핀의 정보는 매우
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스핀트로닉스의 극히 일부분으로 전자의 스핀정보에 대한 현상 및 이의 물리적 이해에 대한 연구는 이제 시작 단계라고 해도 과언이 아니다. 강자성체-반도체 하이브리드 소자와 같은 신개념 소자에 대한 산업적 가능성은 매우 크다. 중단기
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스핀트로닉스 소자를 제작하고, 기존 반도체 소자와의 성능 비교를 수행합니다.
- 양자컴퓨팅 응용을 위해 위상 초전도체를 활용한 논리 게이트 설계를 연구합니다.
3) 기대 효과
본 연구를 통해 위상 절연체 및 위상 초전도체의 전자적 특성
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