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실험내용
4. 실험절차
5. 실험이론
(1) 플라즈마 (Plasma) 란?
(2) Lithography 란?
(3) 반도체 제조 공정과 정의
(4) 식각(etching)의 종류와 정의
(5) M R A M (Magnetic Random Access Memory)
(6) 화학공학전공자가 반도체 산업에서 필요한 이유
6. 참고자료
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식각)
Selectivity(선택비) 높음
Lattice damage 경미
반응매개체
Dry etch-plasma (physical + chemical = mainly chemical
Wet etch-chemical solution
플라즈마를 이용하면 반응 챔버 내부에 다량의 중성 라디칼과 이온을 만들어낼 수 있다. 이때 중성 라디
칼은
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식각 속도가 더 빨라져야하나 오히려 줄어들었다. 전압을 증가시키면 RF Power가 증가하고, 양이온들이 더 큰 에너지를 가지게 되어 플라즈마 밀도가 증가하고, 충돌하는 입자 수가 증가하여 식각속도가 증가한다. 하지만 실험결과는 오히려 2
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식각 특성이 향상되는 결과를 얻을 수 있다고 할 수 있다.
5. 참고문헌
[1] Tae Young Lee, Etch characteristics of magnetic tunneling junction stack for developing magnetic random access memory, 2013, pp21-25.
[2] Geun-Young Yeom, Etching of COFeB usig CO/NH3 in an Inductively Coupled Plasma etchi
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플라즈마 디스플레이의 기술과 현황 / 강정원 회 / 반도체및디스플레이학회지 제3권 제4호
-플라즈마 디스플레이 패널의 구동방식 및 구동회로 / 권오경 / 전기전자재료학회지 제 13권 제8호
-플라즈마 디스플레이의 기본 구조 및 동작원리 / 황
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식각공정에 관심이 있다고 했는데 식각공정과 선택비에 대해 설명해보세요.
21. 데이터 분석 툴을 사용하기 위해 필요한 역량이 무엇이라고 생각하나요?
Part 4. 기업 공통 인성 질문 및 답변요령
1. 1분 자기소개 (기본 인성 질문)
2. 지원동
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