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식각 특성이 향상되는 결과를 얻을 수 있다고 할 수 있다.
5. 참고문헌
[1] Tae Young Lee, Etch characteristics of magnetic tunneling junction stack for developing magnetic random access memory, 2013, pp21-25.
[2] Geun-Young Yeom, Etching of COFeB usig CO/NH3 in an Inductively Coupled Plasma etchi
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플라즈마 디스플레이의 기술과 현황 / 강정원 회 / 반도체및디스플레이학회지 제3권 제4호
-플라즈마 디스플레이 패널의 구동방식 및 구동회로 / 권오경 / 전기전자재료학회지 제 13권 제8호
-플라즈마 디스플레이의 기본 구조 및 동작원리 / 황
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플라즈마 강화 사이클릭 증착 방법, 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 2009
신혜라, 박막 트랜지스터의 제조방법 및 상기 방법에 이용되는 식각액 조성물, 동우 화인켐 주식회사, 2008
신수범, 포토리소그래피와 나노임프린트 리소그래피를 결합한
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화학반응 공정 - 산화(oxidation) 공정
반도체 제조의 주요 화학반응 공정 - 화학기상증착(CVD) 공정
CVD 반응장치
에피택시(Epitaxy) 공정
* 액상 에피택시(LPE)
* 기상 에피택시(VPE)
식각(Ecthing) 공정
*건식 식각(dry etching)
웨이퍼 세정(wafer cleaning)
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플라즈마 기초와 응용, Alfred Grill 저, 정진욱 역, 청문각
직접회로 제조를 위한 반도체공정 및 장치 기술 , 이형옥 저, 상학당
박막공정의 기초, 최시영 외 공저, 일진사
나. 논문
최근의 대체세정제와 대체세정기술, 배재흠, 수원대학교 화공
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