플라즈마를 이용한 STT-MRAM의 식각 특성 향상

소개글

플라즈마를 이용한 STT-MRAM의 식각 특성 향상에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

5. 참고문헌

본문내용

모두 대체적으로 향상되는 것을 알 수 있었다. 그 뒤 SEM 장비를 통해 식각 후의 이미지 관찰을 하였는데 이것 또한 Pulse power를 인가하고 기판 온도를 높이고 CO/NH3 가스를 사용하였을 때의 식각 profile이 좋게 나온 것을 알 수 있었다. 마지막으로 XPS 표면 분석을 통해 물질 각각을 한 층씩 분석해가는 depth profiling을 하면서 위와 같은 조건하에서 식각하는 것이 잔여물이나 가스가 물질에 덜 남아있어 식각 메커니즘에 끼치는 영향이 적다는 것을 알았다.
즉 실험 결과들을 모두 종합해볼 때 식각과정에 있어 Pulse power를 인가하고 기판 온도를 200℃까지 heating하며 식각 가스로는 CO/NH3를 사용하여 식각을 진행하는 것이 반응물의 재증착이 적고 반응 확률을 높이는 조건이며 더 효과적인 식각을 통해 식각 특성이 향상되는 결과를 얻을 수 있다고 할 수 있다.
5. 참고문헌
[1] Tae Young Lee, Etch characteristics of magnetic tunneling junction stack for developing magnetic random access memory, 2013, pp21-25.
[2] Geun-Young Yeom, Etching of COFeB usig CO/NH3 in an Inductively Coupled Plasma etching system(Journal of The Electrochemical Society 158(1) H2 2011)
[3] Etching of CoFeB Using CO/NH3 in an Inductively Coupled Plasma Etching System, Jong-Yoon Park외 5인, Journal of The Electrochemical Society, 158 1H1-H4 2011
[4] X. Peng. S. Wakeham, A. Morrone, A. Axdal, M. Feldbaum, J. Hwu, T. Boonstra, Y
Chen. and J. Ding: Vaccum 83(2009) 1007.
[5] Evolution of barrier-resistance noise in CoFeB/MgO/CoFeB tunnel junctions during annealing, Ryan Stearrett외 5인, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 107, 064502 2010

키워드

STT-MRAM,   플라즈마 식각,   Pulse-biased ,   식각특성