Drt etching

소개글

Drt etching에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1.건식 식각 공정

2.건식 식각 개요

3.플라즈마 Source 5가지

4.공정변수

5.건식식각의 특징

6.Inert Gas

본문내용

Obective: pattern transfer
반응원리:
Physical etch – ion accelerated by E field
Anisotropic etch(비등방성 식각)
Selectivity(선택비)낮음
Lattice damage 심함
Chemical etch – diffused neutral (radical)
Isotropic etch (등방성 식각)
Selectivity(선택비) 높음
Lattice damage 경미
반응매개체
Dry etch-plasma (physical + chemical = mainly chemical
Wet etch-chemical solution
플라즈마를 이용하면 반응 챔버 내부에 다량의 중성 라디칼과 이온을 만들어낼 수 있다. 이때 중성 라디
칼은 화학적 식각을 일으키게 되고 이온은 self bias (이온과 전자의 이동도 차이에 의해 발생하는 플라즈
마의 독특한 성질)에 의해 가속되어 이온 충격에 기여
하게 된다. 이러한 이온 충격은 중성 라디칼에 의한 화학적 식각 반응에 활성화 에너지를 공급하여 특정
방향에 우세하게 식각을 일으키고 식각의 비등방성
도에 기여하는데 이는 습식식각에 비하여 선택비를 (selectivity) 떨어뜨리는 요인이 된다.

키워드

건식 식각,   플라즈마,   H2 gas,   Ar gas,   MERIE,   ICP,   ECR