HDPCVD의 동작원리 및 Plasma의 원리와 HDPCVD의 특징, 그리고 장단점에 대하여

목차

◈ Plasma의 원리

◈ HDPCVD의 동작 원리

◈ HDPCVD의 특징 및 장단점

◈ HDPCVD 장비 소개

◈ 결론

본문내용

※ PLASMA의 원리
- 플라즈마란 소위 ‘제 4의 물질상태’
- 전기적인 방전으로 인해 생기는 전하를 띤 양이온과 전자들의 집단
- 기체 상태에서 더 큰 에너지를 받게되면 상전이와는 다른 이온화된 입자들. 즉, 양과 음의 총 전하 수가 거의 같아서 전체적으로는 전기적인 중성을 띄는 플라즈마 상태로 변환한다.
※ HDPCVD의 특징 및 장단점
- PECVD의 낮은 step coverage로 인한 박막 증착의 한계 극복
- 높은 Gap filling 능력
- Deposition & Etching 동시 발생 ->Low Deposition rate
- HDPCVD 는 기본적으로 300∼400°에서 증착이 이루어지므로 Metal의 증착 가능
- Gap-fill을 하는 과정에서 증착과 식각의 비율은 3:1 이상의 비율을 가지고 있으며 이러한 비율은 웨이퍼 처리량을 증가시킨다.

키워드

HDPCVD,   CVD,   플라즈마,   plasma,   gap-fill,   gapfill,   PECVD,   ECR