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없으며, 측정하고자 하는 곳에 미리 단차를 만들어 놓아야 하는 불편함이 있다. 증착
증착의 개념
증착의 요구조건
진공증착법
증착의 방식
PECVD
CVD
PECVD
PECVD의 공정 과정
알파스텝
알파스텝 장비
알파스텝의 원리
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PECVD의 낮은 step coverage로 인한 박막 증착의 한계 극복
- 높은 Gap filling 능력
- Deposition & Etching 동시 발생 ->Low Deposition rate
- HDPCVD 는 기본적으로 300∼400°에서 증착이 이루어지므로 Metal의 증착 가능
- Gap-fill을 하는 과정에서 증착과 식각
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PECVD 증착 기구
ECR 플라즈마 원리에서 가정한 일정한 자기장은 무한대 solenoid 형태의 자기 코일에서 가능한 것이며 실제 ECR PECVD system에서 자기 코일은 크기가 작아 자기장 기울기가 존재한다. 자기장의 강도는 플라즈마 chamber에서 시편으로
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PECVD를 이용한 실리콘 증착법
일반적으로 PECVD로 증착되는 필름은 silicon nitride (SixNy), silicon dioxide (SiO2), silicon oxy-nitride (SiOxNy), silicon carbide (SiC), 그리고 비결정성(amorphous silicon, α-Si)이다. 실리콘 소스 가스인 실레인(SiH4)은 산소계 소스 가스와
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PECVD는 chemical vapor를 진공상태의 챔버에 주입하고, 전장을 형성하여 플라즈마를 유도하는 장치로 구성되는데 전장에 의해 높은 에너지를 얻은 전자가 중성상태의 가스분자와 충돌하여 가스분자를 분해하고, 이 분해된 가스원자가 기판에 부
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PECVD 등의 방식으로 더 낮은 온도로 제작 가능하다. 또한 실리콘 결정화 공정에서도 기존의 SPC 방식에서 현재는 Laser Crystallization 방식으로 300℃ 이하의 온도로 제작 되고 있다.
더불어 예전에는 특수 글라스를 이용하여 600℃ 고온에서 공정이
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인턴경험
인턴 초기에는 장비를 작동하는데 필요한 소프트웨어 작동방법과 반도체 및 LCD 제조 과정 중에 핵심이 되는 메카니즘에 대해서 배웠습니다. 이후 일정에 따라 Etcher팀 LPCVD/PECVD팀, LCD용 PECVD팀 등 각 BU를 돌며 체험하며 실습하였습
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PECVD팀, LCD용 PECVD팀 등 각 BU를 돌며 체험하며 실습하였습니다. 각 BU에서 장비를 직접 분해, 조립해 보며 전공 이론 등이 실질적으로 어떻게 이용되고 있는지 알아볼 수 있었습니다. 증착 및 에칭 결과물인 웨이퍼와 LCD glass를 각종 측정 장비를
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PECVD팀, LCD용 PECVD팀 등 각 BU를 돌며 체험하며 실습하였습니다. 각 BU에서 장비를 직접 분해, 조립해 보며 전공 이론 등이 실질적으로 어떻게 이용되고 있는지 알아볼 수 있었습니다. 증착 및 에칭 결과물인 웨이퍼와 LCD glass를 각종 측정 장비를
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PECVD 실습 청강으로 장비의 이해를 높이고, 각 부품과 파라미터의 관계를 고찰했습니다.
PECVD 장비의 하드웨어 구성을 관찰하며, 부품들의 역할과 작동 원리를 파악했습니다. gas의 흐름, plazma power 조절 방식 등을 파악하며 각 부품으로부터 공
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PECVD, PHOTO, Dry Etch, Wet Etch, Strip 및 검사공정등의 TFT 공정뿐만 아니라 배향, Rubbing, Valc, CPS, 식각등의 Cell 후공정 등 LCD 전반의 지식을 갖고 있습니다. 또한 수율을 Care하기 위해서는 품질 Mind는 필수입니다. 신뢰성과 연관되는 품질문제에 대한 Ri
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