HDPCVD 플라즈마

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HDPCVD의 동작원리 및 Plasma의 원리와 HDPCVD의 특징, 그리고 장단점에 대하여

HDPCVD 는 기본적으로 300∼400°에서 증착이 이루어지므로 Metal의 증착 가능 - Gap-fill을 하는 과정에서 증착과 식각의 비율은 3:1 이상의 비율을 가지고 있으며 이러한 비율은 웨이퍼 처리량을 증가시킨다. ◈ Plasma의 원리 ◈ HDPCVD의 동작

HDPCVD 플라즈마, CVD plasma, HDPCVD의 동작원리 및 Plasma의 원리와 HDPCVD의 특징, 그리고 장단점에 대하여,

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등록일 2009.02.04
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