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※ PLASMA의 원리
- 플라즈마란 소위 ‘제 4의 물질상태’
- 전기적인 방전으로 인해 생기는 전하를 띤 양이온과 전자들의 집단
- 기체 상태에서 더 큰 에너지를 받게되면 상전이와는 다른 이온화된 입자들. 즉, 양과 음의 총 전하 수가 거의
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CVD
SiH4, O2
SiH4, N2O
SiH4, CO2
SiH2Cl2, N2O
Si(OC2H5)4
Plasma CVD
SiH4, N2O
광 CVD
SiH4, N2O
SiH4, O2
PSG
(BPSG*)
열 CVD
SiH4, O2,PH3
(상압 B2H6*
감압 BCl3)
Plasma CVD
SiH4, N2O,PH3
(B2H6*)
광 CVD
SiH4, N2O, PH3
Si3N4
열 CVD
SiH4, NH3
SiH2Cl2, NH3
Plasma CVD
SiH4, NH3 (or N2)
광 CVD
SiH4
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CVD
Classification of CVD
Thermal(conventional) CVD
- Operating Temp. : 800 1200 ℃
- Mass Products
- High Purity Thin Film
- influenced by various factors
Metal-Organic CVD(MOCVD)
- Metal-Organic compound
- High reproducibility
- Low-Temperature
- Complex structure
Plasma Enhanced CVD(PE
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CVD 공정의 유형들
◉ APCVD (Atmospheric Dressure CVD)
◉ LPCVD (Low Pressure CVD)
◉ UHVCVD (Ultra-high vaccum CVD) 초고진공화학기상증착
◉ DLICVD (Direct liquid injection CVD)
◉ AACVD (Aerosol-assisted CVD)
◉ MPCVD (Microwave Plasma CVD)
◉ PECVD (Plasm
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1)․low-pressure glow discharge를 이용함으로써 화학반응을 촉진시키고, 열적 반응만 있을 때보다 더 낮은 온도에서 plasma-assisted 반응을 가능하게 하는 CVD 공정이다.
2)․energetic particle의 충돌을 이용하여 film의 물리적, 화학적 성질을 개선할
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