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CVD(화학기상증착)에 의한 박막형성기술은 기간 기술의 하나로 중요기술로 되어 있다. 이것은 초LSI에 요구되는 미세화, 고집적도화에 대해 필요한 제어성을 CVD가 만족시키기 때문이며 그림1에 LSI의 대표적인 제품인 DRAM의 기본구조를 표시했
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CVD 공정에 비해 계단 피복성이 우수하며 박막 두께조절 뿐만 아니라 다성분계 박막에 있어서 조성 조절이 용이하다는 장점이 있다. [7]
3. 결론
박막 증착하는 방법에는 크게 물리 기상 증착법과 화학 기상 증착법, 그리고 분자 빔 결정법(Molecul
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CVD chemical vapor deposition 화학시상증착 공정
화학기상증착 공정이란?
◉ 화학 반응을 수반하는 증착기술로서 부도체, 반도체, 그리고 도체 박막의 증착에 있어 모두 사용될 수 있는 기술
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CVD (화학기상증착 : Chemical Vapor Deposition)
1. CVD 정의
2. CVD 응용범위
3. CVD 공정
4. CVD 장점
5. CVD 공정 방법
Ⅲ CVD와 PVD의 장단점
Ⅳ. 전기전도도 측정방법
1. 전기전도도 측정계
2. 전기전도도 측정원리
3. 전도도 표준액의 조제
4. 시료의 전기전도
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화학 증착 증착법(CVD)
정의
- 열의 분해과정 및 기체 화합물의 상호작용에 의해 기판의 표면에 박막을
형성하는 증착법
종류
- 저압 화학 기상 증착 (Low Pressure CVD, LPCVD)
- 플라즈마 향상 화학 기상 증착 (Plasma Enhance
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화학 기초소재사업본부에 적합한 역량을 겸비한 엔지니어]
생산팀 설명
기술팀 설명
?My Story 본인의 특성 및 성격(장점/보완점)을 자유롭게 기술해주세요. Guide> 구체적인 사례를 바탕으로 진솔하게 기술해주시기 바랍니다.
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화학기상증착장비(CVD) 개발을 서둘러 기존 트랙장비·매엽식 세정장비(SWP) 등과 함께 전공정 장비 분야를 확대할 계획을 가지고 있습니다. 저는 부가가치가 높은 주요 전공정 장비를 앞세워 시장을 개척하고 반도체 장비를 설계하겠습니다.
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CVD의 차이점을 말하시오.
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100 웨이퍼와 111 웨이퍼의 차이점은 무엇인가?
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학점이 낮은이유는 무엇인가?
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본인이 가지고 있는 핵심역량은 무엇입니까?
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생소한 업무를 대할때 진행순서는?
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장비는 어디까지 설계 가능한지?
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전기 관련
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