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CVD법에 의한 H막의 특성은 플라즈마법과 동등한 수준이고 성막속도는 보통 램프광을 이용한 광 CVD법보다는 빠르지만 대면적화가 곤란하여 이것을 고려한 레이저광원이나 장치구성 개발이 필요하다. 1.실험목적
2.이론적배경
3.장치에
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증착법(laser vaporization)
③ 플라즈마 화학기상증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)
④ 열화학 기상증착법(Thermal Chemical Vapor Deposition)
⑤ 기상합성법(Vapor phase growth)
4. 탄소나노튜브의 전계전자방출 특성
5. 탄소나노튜브의 응용기술
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기상 관측 장치 전원
전세계 및 우리나라 동향/현황
일본 Sharp 2006년 말에 600MWp로 증설
- 2004년도 매출액 약 1조 1700억원 달성 (전체 그룹 매출 8%)
독일 Q-cell 2005년 166MWp 생산, 2006년 연산 350MWp 규모로 증설
중국 Suntech 2005년 82 MWp 생산, 2006년 연
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CVD법에 의한 박막 형성은 PVD법에 비하여 고속입자의 기여가 적기 때문에 기판 표면의 손상이 적은 잇점 이 있으므로 주목되고 있으며, 국제적으로 기술 개발을 서두르고 있는 분야이기도 하다. CVD(화학기상증착)법은 기체상태의 화합물을 가
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CVD법에 의한 박막 형성은 PVD법에 비하여 고속입자의 기여가 적기 때문에 기판 표면의 손상이 적은 잇점 이 있으므로 주목되고 있으며, 국제적으로 기술 개발을 서두르고 있는 분야이기도 하다. CVD(화학기상증착)법은 기체상태의 화합물을 가
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