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CVD
화학기상성장법 [化學氣相成長法, chemical vapor deposit
IC(집적회로) 등의 제조공정에서 기판 위에 규소 등의 박막을 만드는 공업적 수법으로 약칭은 CVD이다. 화학물질을 포함하는 가스에 열이나 빛으로 에너지를 가하거나, 고주파로 플라스
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공정조건의 제어범위가 매우 넓어서 다양한 특성의 박막을 쉽게 얻을 수 있을 뿐만 아니라 좋은 step coverage를 갖는 등의 특성이 있기 때문이다.
※이론적 배경
CVD는 반도체의 제조공정 중에서 가장 중요한 기술의 하나이다. 역사적으로는 19
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반도체 제조공정에 대한 전반적인 이해를 위한 실험으로 우리는 이번에 그 제조공정의 일부만을 선택하여 실험하였다. 우리가 한 실험은 세정→ 증착→ PR도포→ Pre bake→ 노광→ 현상 →Rinse→ Post bake→ Etching 과정을 하였다.
증착과정에서 s
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공정의 실현 등에서 유리하며, 최근 많이 채택되고 있는 기술이다.
참조
NECST @ KNU 반도체공정교육및지원센터
IHS Technology (http://www.displaybank.com/)
신기술융합형 성장동력사업(http://blog.naver.com/mest_crh/150118453465)
나노종합 기술원(http://blog.naver.com/n
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, 코일을 상하로 이동시켜 봉 전체를 단결정으로 만든다.
참고문헌
- 반도체소자공정기술
저 자 : Michaelquirk, Juliam serda원재
출판사 : 청문각
- 알기쉬운 반도체공정
저 자 : 박욱동, 박광순 공역
출판사 : 대명사
- LG 실트론 홈페이지
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