반도체 클리닝 공정 (반도체 클리닝 공정에 대한 조사 레포트)

소개글

반도체 클리닝 공정 (반도체 클리닝 공정에 대한 조사 레포트)에 대한 보고서 자료입니다.

목차

-서론
-본론
-결론
-참조

본문내용

제거의 어려움, 고순도 화학 물질과 DI-water의 고가격, 사용된 폐기물의 처리 등 많은 문제점들로 인하여 건식 웨이퍼 세정 기술이 빠르게 개발되어 왔다.
이 외에 증기 세정법도 있는데, 이 방법은 플라즈마나 이온 충돌, 전자, 광자들에 의하여 촉진되는 표면 화학 반응이나 물리적인 방법으로 세정이 이루어지는 건식 세정과는 달리, 세정액을 증발시켜 발생된 증기를 기판 표면에 접촉시켜 오염 물질들을 분리해내는 세정을 말한다. 증기 세정법은 습식 세정에 비하여 건식 세정의 일반적인 장점들을 많이 가지고 있어, 세정액 자체의 잔류에 의한 오염 방지, 정확한 제어, 폐기물 처리용이, 컴퓨터 제어에 의한 안정성, 증기의 종류나 온도, 압력 변화의 다양성 및 in-situ 공정의 실현 등에서 유리하며, 최근 많이 채택되고 있는 기술이다.
참조
NECST @ KNU 반도체공정교육및지원센터
IHS Technology (http://www.displaybank.com/)
신기술융합형 성장동력사업(http://blog.naver.com/mest_crh/150118453465)
나노종합 기술원(http://blog.naver.com/nnfcblog/60199284214)

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