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물리적 증착에 비해 적게 들고 여러가지 종류의 원소및 화합물의 증착이 가능하며 공정조건의 제어범위가 매우 넓어서 다양한 특성의 박막을 쉽게 얻을 수 있을 뿐만 아니라 좋은 step coverage를 갖는 등의 특성이 있기 때문이다. 없음
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및 화합물의 증착이 가능하며 공정조건의 제어범위가 매우 넓어서 다양한 특성의 박막을 쉽게 얻을 수 있을 뿐만 아니라 좋은 step coverage를 갖는 등의 특성이 있기 때문이다.
※이론적 배경
CVD는 반도체의 제조공정 중에서 가장 중요한 기
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CVD로서, 반응기내 혼합 기체에 전장을 걸어 Plasma 상태를 형성하여 박막을 증착하는 방법.
이름 : Photo CVD
특징 : Laser 또는 자외선의 광 에너지를 반응기체의 분해 및 박막을 증착할 때 이용하는 CVD방법
공정압력
이름 : AP CV
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서론
2. 본론
2.1 CVD 공정의 원리
2.2 CVD 공정의 특징 및 장점
2.3 CVD 공정의 분류
2.4 CVD 공정의 세부 응용 분야
2.5 CVD 공정의 최신동향
3. 결론
4. 그림 및 표
5. 참고 문헌
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및 응용
12. 손상(Damage) 및 어닐링(Annealing)
박막 증착의 기술 및 공정
- 개요
1. 기화법 (Evaporation)
2. 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition)
(1) CVD 장치
(2) 박막 성장 메커니즘
3. 스퍼터 증착(Sputter deposition)
(1) 스퍼터링의 정의
(2)
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