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CVD chemical vapor deposition 화학시상증착 공정
화학기상증착 공정이란?
CVD 공정의 유형들
APCVD (Atmospheric Dressure CVD)
LPCVD (Low Pressure CVD)
PECVD (Plasma Enhanced CVD)
IC제조에 있어 주된 CVD 공정들의 예
CVD 방법의 장점
CHIP Package 종류와 두께
L
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공정
7. 감광액 도포(Photo Resist Coating)
8. 노광(Exposure)공정
9. 현상(Development)공정
10. 식각(Etching)공정
11. 이온주입(Ion Implantation)공정
12. 화학기상증착(CVD:Chemical Vapor Deposition)공정
13. 금속배선(Metallization)공정
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공정은?
반도체 소자 제작에 많이 사용되는 박막은 열적 성장이나 물리적 증착, 혹은 화학 반응에 의해 증착되는 금속, 반도체, 부도체의 얇은 층을 말한다.
박막 제조의 대표적인 4가지 방법은 다음과 같다
1) 화학 기상증착 (CVD : ch
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공정조건의 제어범위가 매우 넓어서 다양한 특성의 박막을 쉽게 얻을 수 있을 뿐만 아니라 좋은 step coverage를 갖는 등의 특성이 있기 때문이다.
※이론적 배경
CVD는 반도체의 제조공정 중에서 가장 중요한 기술의 하나이다. 역사적으로는 19
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반도체 공정에서 가스가 사용되며 칩의 제조공정에 이용되는 가스의 종류를 용도별로 분류하면 분위기 가스, Epitaxial, Doping 가스, 성막용 가스(CVD), 에칭가스등으로 나눌 수 있다.
표2. 용도별 반도체 재료 가스
용도
가스명
분위기 가스
N2, O2
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