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Etch 공정(Pattering)
14. Photolithography 공정(PR 도포)
15. 노광공정
16. 광원변화추이
17. 현상(Development)&Hard Baking
18. Etch 공정
19. PR 제거(Ashing) 공정
20. 불순물 주입공정(Doping)-열확산법
21. 불순물 주입공정(Doping)-이온주입법
22. Anneal
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Etching)공정
11. 이온주입(Ion Implantation)공정
12. 화학기상증착(CVD:Chemical Vapor Deposition)공정
13. 금속배선(Metallization)공정
14. 웨이퍼 자동선별(EDS Test)
15. 웨이퍼 절단(Sawing)
16. 칩 집착(Die Bonding)
17. 금속연
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이후로는 Etching이 더 이상 진행하지 않을것이라고 예상한다.
6. 참고문헌
반도체 공정실험 Dry Etching 수업자료 PDF
화학용어사전 - 화학용어사전 편찬회, 윤창주, 2011. 1. 15, 일진사
반도체 공정플라즈마의 현황과 전망 한국물리학회 , 장홍영
바
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etching하면 되기 때문에 etching에 의한 pattern 공차가 작고 line의 sharpness가 높다는 점이다.
-그 밖의 리소그래피 종류
1.Eletron Beam Lithography (전자빔리소그라피)
E-beamLithograph는 반도체 웨이퍼 위에 전자에 예민한 성질을 가지고 있는 레지스트 (resi
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반도체 제조공정에 대한 전반적인 이해를 위한 실험으로 우리는 이번에 그 제조공정의 일부만을 선택하여 실험하였다. 우리가 한 실험은 세정→ 증착→ PR도포→ Pre bake→ 노광→ 현상 →Rinse→ Post bake→ Etching 과정을 하였다.
증착과정에서 s
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