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식각에 비해 떨어진다.
플라즈마는 열 플라즈마(thermal plasma)와 저온 플라즈마(cold plasma)로 구분되는데 열 플라즈마의 경우는 핵융합과 같은 특수 목적을 위해 이용되고 있으며 저온 플라즈마가 반도체 공정의 건식식각에 이용되고 있다.
일반
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반도체 레이저 다이오드와 비교할 수 있는 단계에 도달하게 된다. 초기에 상용화된 VCSEL은 대부분 양성자 주입형이다. 최근에는 AlAs를 습식 산화시키면 알루미늄의 산화막을 만들 수 있다는 것이 알려지면서, 산화막 VCSEL이 등장하였다. 여기
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식각 손상문제 및 polymer에 의한 오염문제가 부각되면서 반응로 구조의 개선을 통한 성능개선의 한계점에 도달하게 되었다. 이로 인해 차세대 반도체 제조용 건식식각 및 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)장비개발을 위한 다양한 플라즈마
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대해 알고싶다.
반도체 발광 다이오드(LED)의 세부기술 특허동향에 대해 알고싶다.
반도체 레이저 다이오드(LD)의 세부기술 특허동향에 대해 알고싶다.
출처 : http://www.patentmap.or.kr/pm_inquiry/2001/2001-ee/2001-EE-06/EE06_chap_2/EE06_210.htm
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반도체 제조 기술
1. 워이퍼 세척
2. 웨이퍼 표면의 오염원과 오염원의 검출
3. 웨이퍼 세척 과정
4. 에칭
5. 습식 식각
6. 실리콘의 습식 식각
7. 열산화막의 습식 식각.
8. 질화 실리콘의 습식 식각
9. 건식 식각
10. 이온주입 (Ion Impla
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