화학적 기상증착 실험 cvd실험

소개글

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목차

1.실험목적

2.이론적배경

3.장치에 대한 원리와 방법

4.코팅과정과 반응장치.

5. 분석기구

6. CVD 기술과 종류

본문내용

다. 증착 챔버의 벽이 투명한 레이져 간섭 검사법은(Si층 위의 SiO2에 대해 λ=6328Å, 적층Si에 대해 1.15㎛) Sugarawa, et al에 의해 사용되어왔다. SiO2와 적층 실리콘막에 5000Å의 범위에서 ±5%의 막 두께 제어가 행해진다. 주어진 CVD코팅두께로 얻기 위해 기판표면은 광학적으로 접근할 수 없어야 하고 우리는 경험이나 반응-산물 모니터링에 의존한다. 예를들면 염화물+수소반응으로부터 HCl(g)을 흡수하고 적정하는 방법에 의한 ±20%의 제어가 특징적이다.
6. CVD 기술과 종류
반도체, 특히 실리콘 집적회로 시장은 1년 정도의 정체기가 있었으나 과거 10년간 기록적인 성장을 하였다. 집적회로 시장의 신장을 유지하는 것은 3년간에 4배에 달하는 집적도를 가능케 한 DRAM으로 대표되는 첨단 프로세스 기술의 진보에 있다. 이 반도체 프로세스 기술 중에서 CVD(화학기상증착)에 의한 박막형성기술은 기간 기술의 하나로 중요기술로 되어 있다. 이것은 초LSI에 요구되는 미세화, 고집적도화에 대해 필요한 제어성을 CVD가 만족시키기 때문이며 그림1에 LSI의 대표적인 제품인 DRAM의 기본구조를 표시했다. 이중에서 CVD막은 비활성막, 층간 절연막, 게이트전극막등인 고품질, 고집적이 요구되는 곳에 많이 사용되고 있으며, 한편 소자분리기술의 하나로도 중요시 되어 있다. 표 2-1.에 CVD막의 반도체 디바이스의 적용의 한 예를 나타내었으며, 앞으로 1∼4G DRAM으로 진전하는 고집적화의 방향중에서 CVD는 보다 중요한 필수적인 핵심기술로 자리잡을 것이다.
(1) 熱 CVD
피퇴적기판을 가열하므로서 박막형성을 행하며, 대기압하에서 반응시킨 상압 CVD와 양산 성 및 단계적용범위를 향상시키기 위해 감압(Q1-1Torr)하에서 막형성을 행한 감압CVD로 대별한다.
(2) 플라스마 CVD
RF글로우 방전하에서 전기에너지에 의해 반응을 촉진시켜 박막형성을 행하는데, 이 과정에 서는 열을 필요로 하지 않으므로 저온화가 가능하다.
(3) 光 CVD
빛을 조사하여 광화학반응에 의해 박막형성을 하며, 플라즈마법과는 달리 반응과정 중에 고에너지의 하전 입자나 전계가 관여하지 않으므로 하지나 적층막에서의 손상을 고려하지 않아도 되며 양호한 막이 형성된다.
(4) MO-CVD
유기금속화합물의 열분해를 이용한 박막형성법으로 성장층의 조성, 특성의 정밀제어가 가능하다.
이상의 각 프로세서에 의해 형성된 박막의 종류와 반응가스를 표 2에 정리하였으며, 다음에 각각의 기술에 관한 현상과 앞으로의 방향을 설명하겠다.
(5) 레이저 CVD
레이저 CVD법의 장점은 ①선택적인 반응을 진행 ②화학반응공정을 임의로 제어할 수 있다.
또한 단점으로는 모든 파장을 커버할 수 없기 때문에 선택적으로 일부재료에서만 사용가능하다. 레이저 CVD법에 의한 H막의 특성은 플라즈마법과 동등한 수준이고 성막속도는 보통 램프광을 이용한 광 CVD법보다는 빠르지만 대면적화가 곤란하여 이것을 고려한 레이저광원이나 장치구성 개발이 필요하다.

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