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CVD법에 의한 H막의 특성은 플라즈마법과 동등한 수준이고 성막속도는 보통 램프광을 이용한 광 CVD법보다는 빠르지만 대면적화가 곤란하여 이것을 고려한 레이저광원이나 장치구성 개발이 필요하다. 1.실험목적
2.이론적배경
3.장치에
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CVD', 화학반응이나 열분해를 촉진시키기 위해 빛을 소사하는 것을 '빛 CVD', 가스를 플라스마상태로 여기(勵起)시키는 방법을 '플라스마 CVD'라고 한다.
실험목적 과 이론적 배경
※실험목적
신소재 개발의 새로운 명제로서 재료에다 한
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증착.
1. 증착 하려는 source material을 도가니에 넣고 가열.
2. Source material이 기체상태가 되어 기판의 표면에 충돌.
3. 충돌된 기체상태의 금속원자가 기판에 증착됨. PVD
원리 및 종류 그리고 특징
CVD
원리 및 종류 그리고 특징
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실험에서는 장비성능상 충분히 높은 진공 상태를 만들 수 없었고 따라서 챔버내의 이물질들로 인해 접착력이 떨어졌다고 생각한다. 또 증착될 기판의 표면이 처음부터 깨끗하지 못했을 수도 있다. 이는 적절한 이물질 제거 기술로 해결할 수
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CVD\', 화학반응이나 열분해를 촉진시키기 위해 빛을 소사하는 것을 \'빛 CVD\', 가스를 플라스마상태로 여기(勵起)시키는 방법을 \'플라스마 CVD\'라고 한다.
실험목적 과 이론적 배경
※실험목적
신소재 개발의 새로운 명제로서 재료에다
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