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증착.
1. 증착 하려는 source material을 도가니에 넣고 가열.
2. Source material이 기체상태가 되어 기판의 표면에 충돌.
3. 충돌된 기체상태의 금속원자가 기판에 증착됨. PVD
원리 및 종류 그리고 특징
CVD
원리 및 종류 그리고 특징
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CVD (chemical vapor deposition)
⑤ 액상 에피탁시법
⑥ Langmuir-Bliogett막 형성법
⑦ 흡착방법
(2) 진공 증착
① 물리적 기초
② 실험 기술
(3) 이온을 이용하는 방법과 음극 스퍼터링
① 2극 스퍼터링의 원리
② 음극 스퍼터링의 몇 가지 특수한 장
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다.
<그림 1-20.1 PLD 기본원리>
◎ 참고문헌 : 반도체 제조장치 입문, 전전 화부, 성안당
집적회로 설계를 위한 반도체 소자 및 공정, 정항근, 홍릉과학
실리콘 공정기술 입문, 김종성, 동영 출판사
박막공학의 기초, 최시영, 일진사 없음
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CVD(Chemical Vapor Deposition)
5.1. LPCVD
5.2. PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)
5.3. APCVD
6. 분자빔 결정법(MBE)
7. 박막 증착의 예
7.1. 실리콘 박막 트랜지스터(TFT)
8. PVD와 CVD의 차이 비교
9. 증착법의 실제 적용 분야
9.1. 증착법의 기
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종류
① DC sputtering :
② RF sputtering
③ reactive sputtering
④ magnatron sputtering
○ RF sputtering
① Self bais :
● Hybrid and modified PVD Processes
․ Ion Platind 법
● PVD박막의 비교
● ARC PLASMA DEPOSITION
● CVD의 종류
■ 유전체의 범주
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