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th of Foucs)가 낮아지게 되는데 이로 인해 감광액 (Photoresist)의 굵기(Thickness)가 매우 얇아지게 됩니다. 더불어 Aspect Ratio가 높아지면서 선택비가 낮은 건식 식각 공정의 채용이 확대되고 있다. 이로 인해 노광 공정에서 Hardmask의 도입이 확대되고 있는 상황이다. Hardmask로는 탄소(Carbon)이 혼합된 ACL(Amorphous Carbon Layer)가 널리 사용되고 있다. SiO, SiN, Poly-Si, 등과의 식각 선택비가 매우 높아 건식 식각의 도입 확대 추세에 발맞춰 보편화되고 있다. ACL은 감광막 패턴 제거시 ARC막의 제거를 용이하게 하는 기능도 있다. ARC공정과 마찬가지로 ACL 공정에서도 RFCVD가 우월한 성능을 보여주고 있다.