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CVD
피퇴적기판을 가열하므로서 박막형성을 행하며, 대기압하에서 반응시킨 상압 CVD와 양산 성 및 단계적용범위를 향상시키기 위해 감압(Q1-1Torr)하에서 막형성을 행한 감압CVD로 대별한다.
(2) 플라스마 CVD
RF글로우 방전하에서 전기에너지에
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th of Foucs)가 낮아지게 되는데 이로 인해 감광액 (Photoresist)의 굵기(Thickness)가 매우 얇아지게 됩니다. 더불어 Aspect Ratio가 높아지면서 선택비가 낮은 건식 식각 공정의 채용이 확대되고 있다. 이로 인해 노광 공정에서 Hardmask의 도입이 확대되고
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쉽기 때문이다. PVD
evaporator : thermal, e-beam, laser
sputtering : DC, RF, 마그네트론스퍼터링
step coverage
CVD
homogeneous reaction & Heterogeneous reaction
Mass Transport Controlled vs Surface Reaction Controlled
Thermodynamics vs Kinetics
MOCVD
PECVD
HW-CVD
Furnace
ICP-CVD
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CVD법에 비해 낮은 증착온도를 필요로 하는 장점이 있다. 그리고 다른방법으로는 얻을 수 없는 합금계 박막을 얻을 수 있다.
PEPVD(plasma enhanced physical vapor deposition)
PVD의 원리와 같이 물리적인 힘을 가하여 박막 증착시키는 방법으로 비교적 낮
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CVD 방법은 다음과 같다.
1) 熱 CVD
피 퇴적기판을 가열 힘으로서 박막형성을 행하며, 대기압 하에서 반응시킨 상압 CVD와 양산성 및 단계적용범위를 향상시키기 위해 감압(Q1-1Torr)하에서 막 형성을 행한 감압 CVD로 대별한다.
2) 플라스마 CVD
RF
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