진공증착의개요

소개글

진공증착의개요에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1.실험목표

2.실험배경지식
-CVD
-PVD

3.실험방법

본문내용

DC sputter 동안 target 표면에 산화물 또는 질화물 등의 절연층을 형성하므로 sputter 효율을 감소시킨다. 이러한 현상은 DC-sputtering 의 경우 sputter 초기부터 target 뒷면의 영구자석을 회전시켜 주거나, 전자석의 전류를 변화시키면 개선될 수 있다.
3)CVD(CHEMICAL VAPOR DEPOSITION)
증착하고 싶은 필름을 개스 형태로 웨이퍼 표면으로 이동시켜 개스의 반응으로 표면에 필름을 증착시키는 방법이다.
①장점 - 고순도 film 형성 가능
- 재료의 선택에 따라 각종 박막형성이 가능
- control 하기 쉽다.
- 대량처리가 가능하다.
②종류
APCVD(Atomspheric Pressure Chemical Vapor Deposition)
- 760 torr, 400 C - 500 C 에서 동작
- 간단한 반응노, 낮은 온도와 높은 증착률이 장점
- gas 의 소비량이 많고 불순물 문제가 발생하기 쉽다.
LPCVD(Low pressure chemical vapor deposition)
- 0.2 - 2.0 torr, 300 C - 900 C 에서 동작
- 필름의 순도가 높고 균일하다.
- 증착률이 낮고, 높은 온도가 단점.
PECVD(Plasma Enhanced CVD)
- 0.1 - 5.0 torr, 200 C - 500 C , 50 - 13.56MHz 의 r.f.frequency 사용
- 낮은 온도에서 동작하고 빠른 증착률이 장점이다.
- 불순물 문제가 생긴다.
에피택시(Epitaxy)
- crystalline substrate 위에 얇은 crystalline 층을 성장시키는 것. 주로 CVD를 사용한다.
3. 실험방법
Li은 공기중에 방치하면 산화력이 매우 강하기 때문에 글로브박스에서 진공상태로 실험을 시행해야하다. 그러므로 실험에 앞서 준비단계를 거쳐야 한다.
1)준비단계
①바깥챔버에 시편통을 넣고 진공로터리 펌프를 가동시켜 진공상태로 만든다.
⇒시편만 넣을시 공기중에서 산화되기 때문에 진공상태인 글로브박스 안에서 꺼내야 한다.
②아르곤(Ar)으로 채워져있는 글로브박스와 같은 상태를 만들어 주기 위해 밸브를 열어 바깥챔버에도 아르곤(Ar)을 채운다.
2)실험
①로터리 펌프를 가동시켜 챔버안을 진공상태로 만든다.
②진공상태인 챔버를 열고 상부에는 Li시편을 하부에는 증착 할 물질을 올려놓는다.
③증착 할 물질을 가열하여 Li시편에 증착 시킨다.

키워드

진공증착,   CVD,   PVD