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CVD 공정은 박막을 도포하고자 하는 기판이 놓여있는 반응용기 내로 다양한 경로를 거쳐 기상의 화합물을 도입하고, 가능한 증착 메커니즘으로부터 발생하는 화합물의 분해 과정을 거쳐 원하는 물질의 박막을 화학적으로 형성하는 방법이다.
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cvd?
Principle of cvd
High purity and quality deposition
Good economy and process control
A great variety of chemical compositions
High step coverage
Selective deposition
AdvantageS of CVD
Classification of CVD
Thermal(conventional) CVD
- Operating Temp. : 800 1200 ℃
- Mass Products
- Hi
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증착법
종류
- 저압 화학 기상 증착 (Low Pressure CVD, LPCVD)
- 플라즈마 향상 화학 기상 증착 (Plasma Enhanced CVD, PECVD)
- 대기압 화학 기상 증착 (Atmospheric Pressure CVD, APCVD) 방막증착종류
화학적 증착
물리적 기상증착
결론
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증착에는 적합하지 않다. 이 장에서는 화학적인 반응에 기초한 박막증착법을 소개하고자 한다. 화학 물질은 일반적으로 가스 상의 혼합물로 공급된다. 확실히 최종 산물의 화학적 결합상태는 공급된 가스와는 다르다.
화학기상증착법(CVD)
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증착되는 것이다. 1. 증착 및 기상증착법의 정의
2. CVD (화학 기상 증착법, Chemical Vapor Deposition)
- 원 리 -
- 특 징 -
1) 장 점
2) 단 점
2. PVD(물리증착법. Physical Vapor Deposition)
1) PVD(Physical Vapor Deposition)
1) 이온 플레이팅(lon Plating)
2) 스퍼
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