Drt etching

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Obective: pattern transfer 반응원리: Physical etch – ion accelerated by E field Anisotropic etch(비등방성 식각) Selectivity(선택비)낮음 Lattice damage 심함 Chemical etch – diffused neutral (radical) Isotropic etch (등방성 식각) Selectivity(선택비) 높음 Lattice damage

건식 식각 H2 gas, 플라즈마 Ar gas, Drt etching,

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등록일 2006.05.03
파일종류 피피티(ppt)
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