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식각을 일으키고 식각의 비등방성
도에 기여하는데 이는 습식식각에 비하여 선택비를 (selectivity) 떨어뜨리는 요인이 된다. 1.건식 식각 공정
2.건식 식각 개요
3.플라즈마 Source 5가지
4.공정변수
5.건식식각의 특징
6.Inert Gas
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Ar의 flow량을 조절, 작동한다.
⑥ 메탄가스를 흘려 보낸다.
⑦ gas가 주입되므로 압력이 달라지므로 Pump와 연결된 벨브를 이용하여 압력을
다시 조절한다.
⑧ Plasma를 발생 스위치를 켠다.
⑨ 증착시간동안 기다린다.
⑩ 증착이 끝나면 역순으로
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gas를 주입한다.
6) Chamber에 Plasma gas로 C F gas(화학적 반응 야기)와
Ar gas(물리적 반응 야기)를 주입한다.
7) 전원장치를 이용하여 300W의 전원을 공급한다.
8) 3가지 시료에 각각 3분, 5분, 7분 씩 에칭하는 과정을 반복한다.
플라즈마 에칭은 기
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가스 분위기에서 플라즈마를 유도한 후 이때 발생된 이온이 타겟에 충돌하면서 타겟물질을 떼어내어 기판에 증착시키는 기술이다.
그러나 스퍼터링은 우리가 장비를 다루기에 어려운점이 많으며 지식을 갖고 있어야 하기 때문에 우리가 직
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플라즈마 가열
-분위기 - 불활성 Gas(Ar, He)
불활성 Gas + (산화물 제조시)
불활성 Gas + (질화물 제조시)
불활성 Gas + 탄소붕(탄화물 제조시)
- 입자분포 및 순도가 양호
- 형상제어가 어렵다
- 단일 산화물, 복합 산화물, 탄화물, 금속 미분체 생성에
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Ar, Ne+Xe 등의 가스를 넣어 양극과 음극의 전극에 의해 전압을 인가하여 네온광을 발광시켜 표시광으로 이용하는 전자표시장치를 일컫는다. PDP는 발광형으로 선명한 대형표시가 가능하기 때문에 종래에 공장자동화용이나 티켓자동판매기, 주
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가스 주입전의 스퍼터 챔버의 진공도는 torr 이하로, 에 대한 유량비를 각각 0%, 1%, 2%, 4% 그리고 6%로 변화시켰다. 타겟 표면의 불순물을 제거하기 위하여 Ar가스 하에 5분간 pre-sputtering 한 후 시료의 두께가 대략 50nm 5nm가 되도록 증착하였다.
1-2.
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플라즈마 반응성 개선을 위한 리간드 엔지니어링에 관심이 많습니다. 또한 특수가스 정제 기술에서 흡착제나 분리막을 활용한 친환경 정제 기술에도 관심이 있어, 에코프로그룹의 탄소중립 지향 전략에 맞춰 관련 연구를 확장하고 싶습니다.
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가스 주입, 플라즈마 전력 제어, 챔버 내 압력 조절 등 하드웨어 요소 간의 상호작용을 학습하며, 각 파라미터가 공정에 미치는 영향을 정리했습니다. 이를 통해 설비의 구조와 공정 변수 사이의 유기적 관계를 파악했고, 이는 향후 고도화된
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