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한다. Unbalanced magnetron 스퍼터링 장치는 세 가지 기본 형태가 있다.
① Ⅰ 형 태 : 강한 내부 pole, 약한 외부 pole ⇒ 기판에 충돌하는 이온의 비율이 매우 낮다. (이온:증착원자=0.25:1).
② 중간 형태: 거의 균형, 보통의 magnetron
③ Ⅱ 형 태 : 약한 내
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산하는 방법을 사용한다. 양이온의 수가 많을수록 이온전류가 증가한다. 보통 torr에서 torr 정도에서 사용을 하고 있다.
※ Magnetron Sputtering에 대해 알아보자.
글로방전 스퍼터링 쳄버의 Ar 압력은 방전을 유지하기 위해서 ~torr로 높고, 평균 자
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스퍼터링
이 장치는 DC 스퍼터링 장치와 비슷하지만 cathode에는 영구 자석이 장착되어 target 표면과 평행한 방향으로 자장을 인가해 준다. 이러한 영구 자석이 장착되어 있는 target을 magnetron target이라고 한다.
DC 스퍼터링 장치에서 target에 이온
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가스의 양을 조절하지 못했다는 점 또한 오차를 만든 것 같다. 다음번에는 이러한 오차원인들을 좀 더 따져보고 좀 더 적극적으로 시험에 참가 하고 싶다. 1.스퍼터링의 목적
2.실험도구
3.이론
4. 실험방법
5. 실험결과
6. 고찰
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스퍼터링의 정의
▶ sputtering의 발생
▶ Sputtering의 장점
▶ 스퍼터링 공정
▶ 스퍼터링 코팅의 종류
▶ 스퍼터링의 응용
▶ 기체 방전
▶ Target 표면의 반응
▶Substrate 표면반응
▶ 스퍼터링 효율에 영항을 미치는 인자 : 이
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타겟 배면에 자석을 부착하여 전기장에 수직한 자기장을 형상함으로서 전자들의 운동을 타겟 주위로 구속하고 이동경로를 길게 함으로써 스퍼터링 효율을 높이는 것이 마그네트론 스퍼터링의 원리이다.
NiO 박막을 RF 마그네트론 스퍼터를
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스퍼터링 두께 및 균일도 조건 최적화, 박막 열처리 이후의 소자 특성 분석 A. 합격스펙
B. 자기소개서
1. 삼성SDI를 지원한 이유와 입사 후 회사에서 이루고 싶은 꿈을 기술하십시오. 700자 (영문작성 시 1400자) 이내
2. 본인의 성장과정을
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스퍼터링에 대한 지식을 배우고자 현재 박막재료 강의를 수강 중에 있습니다. 신소재공학 전공지식을 바탕으로 각 공정에서 수율 향상을 이끌어 내겠습니다.
둘째, 효율성 향상뿐만 아니라 제품의 불량을 줄일 수 있는 분석력을 가지고 있습
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