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계산하는 방법을 사용한다. 양이온의 수가 많을수록 이온전류가 증가한다. 보통 torr에서 torr 정도에서 사용을 하고 있다.
※ Magnetron Sputtering에 대해 알아보자.
글로방전 스퍼터링 쳄버의 Ar 압력은 방전을 유지하기 위해서 ~torr로 높고, 평균
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Sputtering을 이용한 Ti 증착
1. 실험 목적
Working pressure를 변화 시킬 때 두께와 저항의 변화를 그래프를 이용해 분석하여 Working pressure와 두께, 저항의 관계를 알아본다.
2. 실험 이론-Sputter의 원리
≪ 그 림 ≫
구슬치기의 원
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Unbalanced Magnetron(UBM) Sputtering
1. UBM Sputtering
- UBM sputtering 장치는 Magnetron sputtering 장치를 개선 하여 내부 자석과 외부 자석의 자장의 세기를 다르게 설계한 장치이며, 자장이 내부와 외부 사이를 벗어나므로 전자가 기판의 표면 쪽으로 향
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sputtering 발생, cascade형성, gas atom과 불순물 포함
b) vacancy같은 점 결함이 표면 아래 형성되어 잔류 응력 증가, 전위 생성, void 생성
c) 기판에서 구성요소의 sputtering yield가 다양해져 non-stoichiometric 막을 형성한다.
d) 증착전에 기판 cleaning을 위해
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Sputtering된 입자가 잘 달라붙는가와 관련 있다는 결론을 얻었고 Sputtering법으로 박막을 제조 시 최대한 Substrate의 표면을 최대한 매끄럽게 polishing하는 것이 우수한 박막을 제조할 수 있는 방법임을 알 수 있다.
참고문헌
개날연 블로그
DC/RF Sputte
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sputtering 한 후 시료의 두께가 대략 50nm 5nm가 되도록 증착하였다.
1-2. 전기적 특성 평가 (I-V)
NiO 박막의 스위칭 특성을 보기 위해서 혼합가스의 산소비를 0%~6% 로 증착하였다. 이렇게 증착한 박막을 400~700℃ 각각 열처리를 한 후 I-V를 측정하였다.
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Sputtering을 포함한 7개 전공정을 실습했습니다. 이후 전자패키지재료를 수강하며 후공정 Process와 패키지 소재/기술을 학습했습니다.
이어서 랩실에서 패키징 공정을 경험했습니다. 특히 2nd level SMT 공정으로 ‘Screen Printing, Mounting, Reflow, UF Dispen
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Sputtering, PECVD, PHOTO, Dry Etch, Wet Etch, Strip 및 검사공정등의 TFT 공정뿐만 아니라 배향, Rubbing, Valc, CPS, 식각등의 Cell 후공정 등 LCD 전반의 지식을 갖고 있습니다. 또한 수율을 Care하기 위해서는 품질 Mind는 필수입니다. 신뢰성과 연관되는 품질문제
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sputtering, 열 산화, 산소 환경 조성 등 실질적 공정 요소를 논문 기반으로 구현하며 공정 흐름을 체득했습니다.
“실전 프로젝트에서의 공정 적용”
종합설계 프로젝트에서는 다공성 막에 silane을 균일하게 증착하기 위해 박막 증착 기술을 응
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sputtering, 감지체 역할을 하는 황동 나노플레이크의 형성을 위해 열 산화과정을 적용했으며, 산화과정은 일반 대기환경이 아닌 100% 산소 환경에서 진행하여 나노플레이크가 활발하게 성장하도록 설정했습니다. 일련의 과정을 설계하기 위해
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sputtering공정. 금속증착공정을 바탕으로 제가 가진 능력을 보여 드릴 수 있을 것입니다.
제가 가진 지식과 귀사가 보유한 많은 000 배워나가며 실무 경험이 바탕이 되었을 때 지금보다 더욱더 000 산업시장에서 확고적인 기업으로 성장하는데
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