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Sputtering된 입자가 잘 달라붙는가와 관련 있다는 결론을 얻었고 Sputtering법으로 박막을 제조 시 최대한 Substrate의 표면을 최대한 매끄럽게 polishing하는 것이 우수한 박막을 제조할 수 있는 방법임을 알 수 있다.
참고문헌
개날연 블로그
DC/RF Sputte
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TiO2 증착 (RF 스퍼터링을 이용하여 100㎛증착한다.)
가해준 전압 : 90 W
감소된 전압 : 1 W
증착 시간 : 1시간
W.P : 5.8×10
F.G(아르곤) : 40 ACCM
3. 1번의 크롬 증착을 다시 한번 반복한다.
실험결과
그림 1. 증착 막의 두께
그림 2. 증착 표면 사진(고배율)
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참고문헌
● 네이버 지식 - 재료과학과 공학
● 한국 세라믹 학회지 1990년 27권 1호
● 한국 세라믹 학화지 2003년 40권 1호
● 물리학과 첨단세계 2005년 10월 ■ 박막 제조 공정
펌프종류
● Sputtering의 종류
PVD
CVD
유전체란
강유전체란
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내식성 : 부식이 일어나기 어려운 성질
전기 전도성이 떨어진다. Sputtering을 이용한 Ti 증착
1.실험 목적
2.실험 이론
3.실험 방법
4.결과 및 토의
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막의 형성이 가능하다.
단점) - High energy deposition 이므로 박막의 불균일과 damage 발생요인이 된다.
-> 성막 후 열처리로 불균일과 damage 감소시킴.
- 박막이 전자, UV, 이온 등에 노출되어 가열된다.
-> 기판 holder의 수냉이 필요하다
- 성막조건
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