2. RF-Magnetron Sputter를 이용한 박막 증착 원리 이해 (결보)

본문내용

막의 형성이 가능하다.
단점) - High energy deposition 이므로 박막의 불균일과 damage 발생요인이 된다.
-> 성막 후 열처리로 불균일과 damage 감소시킴.
- 박막이 전자, UV, 이온 등에 노출되어 가열된다.
-> 기판 holder의 수냉이 필요하다
- 성막조건이 민감하고 서로 영향을 끼친다.
-> Ar 기체 압력, 전압, bias 전압, 기판온도 등을 조절한다.
3) E-beam evaporator의 증착원리와 과정
E-beam evaporator는 이 공정은 주로 용융점이
높은 금속 (W, Nb, Si..)과 유전체(SiO2)의 박막을
기판 위에 증착 할 수 있는 장비로써, 반도체 공정
및 MEMS 공정에 필요한 전극 제작에 주로 사용되는 공정이다.
E-beam source인 hot filament에 전류를 공급하여 나오는 전자 beam을 전자석에 의한 자기장으로 유도하여, 증착재료에 위치시키면 집중적인 전자의 충돌로 증착재료가 가열되어 증발한다.
텅스텐 필라멘트가 가열되어 열전자가 발생이 되고, 이 전자들이 자기장에 의해서
crucible에 있는 증착물질로 유도되어 충돌함으로써 가열이 된다. 이때 냉각수에 의해
서 hearth가 냉각되므로 crucible 및 crucible 주위의 물질은 녹지 않으므로 오염물질
의 발생률이 낮다. 그러나, E-beam이 금속과 부딪히면서 X-ray가 발생되어 기판을
손상시킬 수 있다.
3) E-beam evaporator의 장단점
장점) - 증착속도 빠르다 (50A/sec)
- 고융점 재료의 증착이 가능하다
- Multiple deposition이 가능하다
단점) - X-ray 발생
- E-beam source위에 원자의 농도가 크므로
와류 또는 discharge가 심하다
※ 참고자료
http://www.semipark.co.kr/semidoc/basic/plasma.asp?tm=1&tms=4
http://blog.daum.net/widerock1/13384511
http://graduate.sangji.ac.kr/common/downLoad.action?siteId=biomedical&fileSeq=229000
http://www.demofab.org/06_hs/hs_view.jsp?hs_no=56
http://www.kemco.or.kr/up_load/blog/%EC%A7%84%EA%B3%B5%EC%A6%9D%EC%B0%A9.pdf

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RF-Magnetron Sputter를 이용한 박막 증착 원리 이해,   박막 증착 원리 ,   Sputter의 장단점