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증착법에 의한 피복물질
피복방법
피복물질
가열온도(K)
증발원
증착속도
(10-9 m/s)
물리증착법
(PVD)
진공증착
Me
≥RT
금속
1.67-1250
sputtering
Me, MexBy, MexCy, MexNy,MexOy,MexSy,
기타 합금
“
금속, 합금
금속화합물
0.17-16.7
ion plating
“
“
“
0.50-833
ion beam
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요약해서 말을 하면 전자빔 증착 방식은 15KeV 까지의 에너지를 가진 고강도 전자선이 증발될 물질을 포함하고 있는 소스 표적에 집중이 된다. 그리고 전자빔으로부터 나오는 에너지가 표적의 일부분을 녹이게 되고, 물질은 소스로부터 증발되
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쉽기 때문이다. PVD
evaporator : thermal, e-beam, laser
sputtering : DC, RF, 마그네트론스퍼터링
step coverage
CVD
homogeneous reaction & Heterogeneous reaction
Mass Transport Controlled vs Surface Reaction Controlled
Thermodynamics vs Kinetics
MOCVD
PECVD
HW-CVD
Furnace
ICP-CVD
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증착(CVD)법
1) 熱 CVD
2) 플라스마 CVD
3) 光 CVD
4) MO-CVD
5) 레이저 CVD
2. 원자층 화학박막증착법(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition, ALCVD)
3. PVD(physical vapor deposition)법
1) 진공증착(evaporation)
2) 스퍼터링(Sputtering)
3) 이온플레이팅(ion pla
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PVD (물리증착법 : Physical Vapor Deposition)
1. PVD에 의한 코팅방법
2. PVD에 의한 코팅법 종류
3. PVD에 의한 코팅법의 방법 및 원리
1 Evaporation Process
2 Sputtering Process
3 Ion Plating Process
Ⅱ. CVD (화학기상증착 : Chemical Vapor Deposition)
1. CVD 정의
2. CVD 응용
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