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Sputtering법
나. RF Sputtering장치의 구성 및 원리
3. 실험
가. 실험 장치
나. 실험 방법
1) Substrate/Target 제조 및 설치
2) RF sputter를 이용한 Sputtering
3) Tribometer를 이용한 마찰계수 측정
4) Revetest를 이용한 부착력 측정
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증착시간
60 min
30 min
RF POWER
300W
300W
량
0.4
0
Ar량
60
60
박막두께
34n
30.8n
11n
16n
24n
29n
16n
18.5n
저항값
18(왼쪽)
40(오른쪽)
13
< 실 험 결 과 >
- 이번 실험은 물리적인 방법 중 간접적인 방법에 속하는 F.T.S(Facing Target Sputter)라는 스퍼터법을 이용하
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박막 형성 방법 중 진공 증착법 과 sputtering법의 개요를 그림을 그려 설명하고 장단점을 비교하라.
6. RF magnetron sputtering법에서 고주파 전원 및 자계를 이용할 경우 유리한 점을 설명하라.
7. 초전도체가 완전 반자성을 갖는 이유를 설명하
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sputtering)
4.4.4. 이온빔 스퍼트링(Ion Beam Sputtering)
4.4.5. Bias Sputtering
4.5. 이온도금
4.6. 이온 빔 증착
5. CVD(Chemical Vapor Deposition)
5.1. LPCVD
5.2. PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)
5.3. APCVD
6. 분자빔 결정법(MBE)
7. 박막 증착의 예
7.
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증착방법에 따른 증착률에서, sputtering증착시에 가장 적은 증착률을 나타낸 것으로보아, 진공증착이나 이온증착으로 시간에 따른 두께변화를 실험했다면, 더욱 높은 박막증착효과를 얻을 수 있을 것이다.
또한 XRD분석결과 우리가 실험한 Au의
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ReRAM
2. 비휘발성 메모리 시장 전망
2-1. 대기업 참여 현황
II. 본 론
1. NiO 물질을 이용한 ReRAM 특성 구현
2. 실험 방법
1-1. R.F Magnetron Reactive Sputtering Deposition
1-2. 전기적 특성 평가 (I-V)
3. 실험 결과 및 분석
III. 결 론
IV. 참고문헌
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박막증착법에서 아이디어를 얻어 연구실 내 감압장치를 활용하고 해결할 수 있었습니다. 이는 마이크로 단위 유체에서 기포를 제거하기 위해 상대적 소수성 성질을 활용할 수 있었던 성공 요인으로 뽑혔습니다. 1. 삼성전자를 지원한 이
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RF magnetron sputtering, 열 산화, 산소 환경 조성 등 실질적 공정 요소를 논문 기반으로 구현하며 공정 흐름을 체득했습니다.
“실전 프로젝트에서의 공정 적용”
종합설계 프로젝트에서는 다공성 막에 silane을 균일하게 증착하기 위해 박막 증착
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