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박막 성장 방법 중의 하나인 ‘때려내기(Sputtering)에 의한 박막 증착’방법의 원리를 이해하고, 실제로 실리콘 기판에 Cu 박막을 증착해보는 실험이었다.
진공증착법에는 크게 물리적증착, 화학적증착이 있고, 이 중 스퍼터링은 물리적 증착에
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Sputtering의 원리 및 특징
2. 자기저항의 분류
3. 강자성(ferromagnetic) 박막에서의 비등방 자기저항(AMR) 효과의 현상론적 이론
4. 광 자 기 효 과
Ⅲ. 실 험 방 법
1. 박막의 제작
2. XRD에 의한 박막의 두께 측정
3. VSM에 의한 자기적 성질 조사
4.
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Sputtering된 입자가 잘 달라붙는가와 관련 있다는 결론을 얻었고 Sputtering법으로 박막을 제조 시 최대한 Substrate의 표면을 최대한 매끄럽게 polishing하는 것이 우수한 박막을 제조할 수 있는 방법임을 알 수 있다.
참고문헌
개날연 블로그
DC/RF Sputte
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증착(CVD)법
1) 熱 CVD
2) 플라스마 CVD
3) 光 CVD
4) MO-CVD
5) 레이저 CVD
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결국에는 PR Pattern만 남게 되는 것이다. *포토 리소그래피 (Photo Lithography)
*포토 레지스트 (Photo Resist)
*마스크 어라이너 (Mask Aligner)
*코팅 (Coating)
*노광 (Exposure)
*현상 (Development)
*스퍼터링(Sputtering)
*리프트 오프(Lift-off)
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sputtering 한 후 시료의 두께가 대략 50nm 5nm가 되도록 증착하였다.
1-2. 전기적 특성 평가 (I-V)
NiO 박막의 스위칭 특성을 보기 위해서 혼합가스의 산소비를 0%~6% 로 증착하였다. 이렇게 증착한 박막을 400~700℃ 각각 열처리를 한 후 I-V를 측정하였다.
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제 3 장. 실험 방법 30
제 1 절 기판 및 시약 준비 30
제 2 절 OTS 증착 31
제 3 절 MIS 커패시터의 제작 34
제 4 장. 실험 결과 38
제 1 절 누설전류 특성 38
제 2 절 펜타센 증착 표면 43
제 5 장. 결 론 51
참고문헌 52
Abstract 55
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박막증착법에서 아이디어를 얻어 연구실 내 감압장치를 활용하고 해결할 수 있었습니다. 이는 마이크로 단위 유체에서 기포를 제거하기 위해 상대적 소수성 성질을 활용할 수 있었던 성공 요인으로 뽑혔습니다. 1. 삼성전자를 지원한 이
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sputtering, 열 산화, 산소 환경 조성 등 실질적 공정 요소를 논문 기반으로 구현하며 공정 흐름을 체득했습니다.
“실전 프로젝트에서의 공정 적용”
종합설계 프로젝트에서는 다공성 막에 silane을 균일하게 증착하기 위해 박막 증착 기술을 응
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보시고는)고체확산론을 배웠는데 고체확산론에서 고체확산 방식을 말해라
Si의 결정구조는 어떻게 되는가?
대학원 입학후 무엇을 하고 싶은가?
(박막증착을 하고 싶다고 대답함)증착방법에는 어떤 방법이 있는가?
Mobility가 무엇인가?
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박막을 증착하고 어닐링하여, Nanodot 형태의 응집 구조를 가지는 샘플을 제작하고 있습니다.
지난 학기에 새로운 타겟으로 은을 도입했습니다. 기판에 박막을 수 nm 두께로 조절하며 증착하기 때문에 초기에 초당 Deposition rate를 측정하여 확립
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박막 증착 중 예기치 않은 파티클 발생을 책임지고 해결한 경험이 있습니다. 과제 평가 항목에
수율이 포함되어 있었기 때문에, 화학 기상 증착 과정에서 갑작스러운 파티클 발생은 치명적으로 다가왔습니다.
3.LG화학에서 이루고 싶은 나만
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