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문제로 사용하는데 한계가 있다.
따라서 이와 더불어 더욱 정교하고 미세하게 마스크에 패턴을 만드는 기술의 개발 또한 진행되고 있다. 1. 서론
2. 본론
1) Photoresist coat(PR코팅)
2) Soft Bake
3) Photo exposure
4)Develop
5)Hard bake
3.결론
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결국에는 PR Pattern만 남게 되는 것이다. *포토 리소그래피 (Photo Lithography)
*포토 레지스트 (Photo Resist)
*마스크 어라이너 (Mask Aligner)
*코팅 (Coating)
*노광 (Exposure)
*현상 (Development)
*스퍼터링(Sputtering)
*리프트 오프(Lift-off)
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도핑하게 되면 공핍층이 좁아져 터널링 현상이 발생.
④ Threshold voltage 조절: 반도체 소자마다 문턱전압 값을 조절할 수 있다. 1. 반도체 소자 및 IC 개요
2. 웨이퍼 및 마스크 제조
3. FAB 공정
4. PHOTO, ETCH 공정
5. Doping 공정
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반도체 집적 및 공정 기술이 있으나, Photo Lithography 공정 하나의 주제로만 보고도 재료나 소재뿐만이 아닌 모든 기술들이 병행적으로 연구하고 관심을 가져야겠다는 시야가 생겼으며, 미래기술과 신소재, 기술의 흐름을 잡을 수 있는 연구 인
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반도체 산업 기술 및 포토레지스트의 기술 동향, 한국고분자학회
송태복 외 2명(2011), 자동차산업 기술혁신의 동학적 분석, 한국기술혁신학회
이성수(2011), 특허보호강화가 우리나라 제약산업의 기술혁신에 미치는 영향, 한국경영교육학회
차
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